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基于CMOS工艺低相位噪声LC VCO优化设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第9-14页
    1.1 课题的研究背景及意义第9-11页
    1.2 压控振荡器的发展现状第11-13页
    1.3 课题的主要工作第13-14页
2 振荡器的基本理论和噪声分析第14-36页
    2.1 振荡器的工作原理第14-17页
        2.1.1 反馈原理第14-15页
        2.1.2 负阻原理第15-17页
    2.2 环形振荡器简介第17-18页
    2.3 LC VCO的理论基础及基本结构第18-27页
        2.3.1 VCO的数学模型第18-20页
        2.3.2 VCO的重要性能参数第20-22页
        2.3.3 LC VCO电路结构第22-23页
        2.3.4 LC VCO的窄带调节第23-25页
        2.3.5 LC VCO的宽带调节第25-27页
    2.4 LC VCO相位噪声分析第27-35页
        2.4.1 理想LC振荡器的相位噪声分析第27-30页
        2.4.2 振荡器Lesson噪声模型第30-31页
        2.4.3 振荡器Hajimiri噪声模型第31-35页
    2.5 本章小结第35-36页
3 低相位噪声LC VCO和LDO的设计第36-51页
    3.1 低噪声LC VCO的电路设计第36-41页
        3.1.1 谐振回路的设计第36-38页
        3.1.2 开关电容阵列的设计第38-39页
        3.1.3 互耦对的设计第39-40页
        3.1.4 噪声滤波模块的设计第40-41页
    3.2 低噪声LDO的设计第41-47页
        3.2.1 电源噪声与LC VCO相位噪声的关系第41-42页
        3.2.2 预稳压LDO结构的设计第42-45页
        3.2.3 带隙基准电路的设计第45-46页
        3.2.4 误差放大器的设计第46-47页
    3.3 版图设计第47-50页
        3.3.1 LC VCO版图设计第47-48页
        3.3.2 LDO版图设计第48-49页
        3.3.3 PLL版图布局设计第49-50页
    3.4 本章小结第50-51页
4 仿真结果分析第51-58页
    4.1 LC VCO仿真结果第51-53页
        4.1.1 瞬态响应仿真结果分析第51页
        4.1.2 调谐范围仿真结果分析第51-53页
        4.1.3 相位噪声仿真结果分析第53页
    4.2 低噪声LDO仿真结果第53-57页
        4.2.1 输入电压范围仿真结果分析第53-54页
        4.2.2 瞬态响应仿真结果分析第54-55页
        4.2.3 等效输出噪声仿真结果分析第55页
        4.2.4 电源电压抑制比仿真结果分析第55-56页
        4.2.5 稳定性仿真结果分析第56-57页
        4.2.6 LDO仿真性能总结分析第57页
    4.3 本章小结第57-58页
5 测试结果分析第58-68页
    5.1 低相位噪声LC VCO测试结果分析第59-63页
        5.1.1 调谐范围测试结果分析第59-60页
        5.1.2 相位噪声测试结果分析第60-63页
    5.2 LDO对LC VCO噪声影响测试结果分析第63-67页
    5.3 LC VCO测试性能总结分析第67页
    5.4 本章小结第67-68页
结论第68-69页
参考文献第69-72页
攻读学位期间的研究成果第72页

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