基于氧空位的新型阻变存储器仿真研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 Flash简介 | 第15-17页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器介绍 | 第17-19页 |
| 1.3 国内外研究现状及本文选题意义 | 第19-21页 |
| 第二章 RRAM基础知识 | 第21-31页 |
| 2.1 RRAM基本结构及其阻变特性 | 第21-28页 |
| 2.1.1 RRAM结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 RRAM阻变过程 | 第23-27页 |
| 2.1.3 RRAM部分材料研究现状 | 第27-28页 |
| 2.2 RRAM物理机制 | 第28-29页 |
| 2.3 RRAM模型 | 第29-31页 |
| 第三章 双极型阻变器件模型 | 第31-61页 |
| 3.1 仿真模型描述 | 第31-41页 |
| 3.1.1 器件结构建模 | 第31-33页 |
| 3.1.2 仿真所用方程模型 | 第33-38页 |
| 3.1.3 初始值及边界条件设置 | 第38-41页 |
| 3.2 Set过程仿真 | 第41-50页 |
| 3.2.1 set过程氧空位分布 | 第42-45页 |
| 3.2.2 Set过程温度分布 | 第45-47页 |
| 3.2.3 Set过程电势分布 | 第47-50页 |
| 3.3 Reset过程仿真 | 第50-58页 |
| 3.3.1 Reset过程氧空位分布 | 第52-54页 |
| 3.3.2 Reset过程温度分布 | 第54-56页 |
| 3.3.3 Reset过程电势分布 | 第56-58页 |
| 3.4 总体I-V特性 | 第58-61页 |
| 第四章 RRAM仿真参数研究 | 第61-66页 |
| 4.1 细丝直径对set过程影响 | 第61-62页 |
| 4.2 顶电极导热系数对set过程影响 | 第62-64页 |
| 4.3 截止电压对reset过程影响 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-69页 |
| 5.1 目前工作总结 | 第66-67页 |
| 5.2 今后工作的展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
