| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-20页 |
| ·Graphene的制备 | 第11-12页 |
| ·Graphene的基本性质 | 第12-15页 |
| ·石墨烯纳米带 | 第15-19页 |
| ·Zigzag型石墨纳米带 | 第16-18页 |
| ·Armchair型石墨纳米带 | 第18-19页 |
| ·本论文的选题意义 | 第19-20页 |
| 2 理论部分与计算方法 | 第20-32页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·多体系统的电子结构 | 第20-21页 |
| ·密度泛函理论 | 第21-25页 |
| ·Hohenberg—Kohn定理 | 第22-23页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| ·局域密度近似(Local-Density Approximation,LDA) | 第24-25页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA) | 第25页 |
| ·输运理论 | 第25-30页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·系统模型 | 第26-27页 |
| ·基于密度泛函的非平衡格林函数电子输运 | 第27-30页 |
| ·计算软件—ATK | 第30-32页 |
| 3 掺杂Be原子石墨纳米带的电子结构 | 第32-40页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·完整zigzag型石墨纳米带 | 第33-34页 |
| ·掺杂B原子石墨纳米带 | 第34-37页 |
| ·边界掺杂Be原子zigzag型纳米带 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 4 对称性和掺杂对石墨纳米带自旋相关输运性质的影响 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·计算模型和方法 | 第40-42页 |
| ·计算结果和讨论 | 第42-49页 |
| ·半导体特性和I一V特征曲线 | 第42-46页 |
| ·负微分电阻效应 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5 结论与展望 | 第50-52页 |
| ·全文总结 | 第50页 |
| ·展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第57-58页 |
