| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-37页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 二硫化钼的结构 | 第13-18页 |
| 1.2.1 二硫化铝的晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 二硫化钼的能带结构 | 第14-16页 |
| 1.2.3 双层二硫化钼的堆垛 | 第16-17页 |
| 1.2.4 二硫化钼的边界结构 | 第17-18页 |
| 1.3 二硫化铝的性质 | 第18-23页 |
| 1.3.1 二硫化钼的机械性质 | 第18页 |
| 1.3.2 二硫化钼的热学性质 | 第18页 |
| 1.3.3 二硫化钼的光学性质 | 第18-22页 |
| 1.3.4 二硫化钼的电学性质 | 第22-23页 |
| 1.3.5 二硫化钼的磁学性质 | 第23页 |
| 1.4 二硫化钼的应用 | 第23-31页 |
| 1.4.1 润滑剂 | 第23页 |
| 1.4.2 电子器件 | 第23-24页 |
| 1.4.3 光电子器件 | 第24-27页 |
| 1.4.4 传感器 | 第27-30页 |
| 1.4.5 制氢催化剂 | 第30-31页 |
| 1.5 稀磁半导体 | 第31-36页 |
| 1.5.1 稀磁半导体简介 | 第31-32页 |
| 1.5.2 稀磁半导体磁性机理的理论研究 | 第32-36页 |
| 1.6 本论文的选题目的与意义 | 第36-37页 |
| 第二章 二硫化钼的表征与制备方法 | 第37-65页 |
| 2.1 二硫化钼层数的表征方法 | 第37-44页 |
| 2.1.1 常规方法 | 第37-38页 |
| 2.1.2 拉曼光谱 | 第38-40页 |
| 2.1.3 光学衬度 | 第40-44页 |
| 2.2 二硫化钼多晶膜中晶界与晶粒大小的表征方法 | 第44-50页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜 | 第44-46页 |
| 2.2.2 低能电子显微镜 | 第46-47页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第47-48页 |
| 2.2.4 光致发光光谱 | 第48-49页 |
| 2.2.5 光学二次谐波 | 第49-50页 |
| 2.2.6 氧化法 | 第50页 |
| 2.3 常见的二硫化钼制备方法 | 第50-64页 |
| 2.3.1 "自上而下"的制备方法 | 第51-57页 |
| 2.3.2 "自下而上"的制备方法 | 第57-64页 |
| 2.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第三章 1-4层二硫化钼的机械剥离法制备与单层二硫化钼薄膜的化学气相沉积法制备 | 第65-92页 |
| 3.1 引言 | 第65页 |
| 3.2 1-4层二硫化钼的机械剥离法制备 | 第65-67页 |
| 3.2.1 实验材料和制备步骤 | 第65-66页 |
| 3.2.2 实验结果和讨论 | 第66-67页 |
| 3.3 单层二硫化钼薄膜的化学气相沉积法制备 | 第67-90页 |
| 3.3.1 生长原理 | 第67-70页 |
| 3.3.2 二硫化钼成核的影响因素 | 第70-72页 |
| 3.3.3 衬底对单晶二硫化钼晶格取向的影响 | 第72-73页 |
| 3.3.4 实验仪器和原材料 | 第73-74页 |
| 3.3.5 实验结果和讨论 | 第74-90页 |
| 3.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 第四章 Co掺杂ZnO薄膜室温铁磁性的研究 | 第92-102页 |
| 4.1 引言 | 第92页 |
| 4.2 实验仪器和原材料 | 第92-93页 |
| 4.3 Co掺杂ZnO靶材和薄膜的制备 | 第93-94页 |
| 4.4 实验结果和讨论 | 第94-100页 |
| 4.4.1 Co掺杂ZnO靶材和薄膜的结构分析 | 第94-96页 |
| 4.4.2 退火对Co掺杂ZnO薄膜的表面形貌以及磁性的影响 | 第96-100页 |
| 4.5 本章小结 | 第100-102页 |
| 第五章 总结与展望 | 第102-104页 |
| 5.1 总结 | 第102-103页 |
| 5.2 展望 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第114页 |