首页--数理科学和化学论文--晶体学论文

柱式平板声子晶体点缺陷传感器关键技术研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-22页
    1.1 声子晶体概况第10-12页
    1.2 声学传感器在检测方面的发展概况第12-16页
    1.3 声子晶体研究现状第16-20页
    1.4 本论文的研究内容和基本框架第20-22页
第2章 声子晶体理论基础与特性第22-32页
    2.1 弹性波动理论基础第22-25页
    2.2 晶体基础理论第25-28页
    2.3 声子晶体带隙特性与带隙计算方法第28-30页
    2.4 本章小结第30-32页
第3章 硅基声子晶体点缺陷的MEMS加工第32-48页
    3.1 器件的加工工艺简介第32-36页
    3.2 单模孔式声子晶体工艺第36-44页
    3.3 柱式平板声子晶体工艺第44-47页
    3.4 本章小结第47-48页
第4章 柱式平板声子晶体研究第48-58页
    4.1 引言第48-49页
    4.2 柱式平板声子晶体仿真计算第49-50页
    4.3 柱式平板声子晶体测试第50-53页
    4.4 关键损耗因素第53-55页
    4.5 柱式平板声子晶体误差分析第55-56页
    4.6 本章小结第56-58页
第5章 结论与展望第58-60页
    5.1 结论第58-59页
    5.2 展望第59-60页
参考文献第60-66页
在学期间学术成果情况第66-68页
指导教师及作者简介第68-70页
致谢第70页

论文共70页,点击 下载论文
上一篇:基于MgO:PPLN的中红外光学参量振荡器泵浦特性研究
下一篇:大口径经纬仪保护窗口镜面变形分析及结构优化研究