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金属基底上氧化镍外延薄膜的制备与电阻开关特性

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
第一章 绪论第10-19页
   ·常见存储器的结构与分类简介第10-12页
   ·阻变存储器的研究现状第12-16页
     ·阻变存储器的结构与分类第12-13页
     ·阻变存储器的研究现状第13-15页
     ·阻变存储器的阻变原理简介第15-16页
   ·NiO薄膜阻变特性的研究背景与现状第16-17页
   ·本文的研究目的,内容及意义第17-19页
第二章 薄膜的制备与微结构表征第19-24页
   ·磁控溅射制备薄膜原理简介第19页
   ·NiO薄膜的制备第19-20页
   ·薄膜微结构表征方法原理简介第20-22页
     ·X射线衍射(XRD)第21页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第21页
     ·透射电子显微镜(TEM)第21页
     ·X射线电子能谱分析(XPS)第21-22页
     ·原子力显微镜(AFM)第22页
   ·薄膜电学性能测试方法简介第22-24页
     ·四探针法测薄膜电阻率第22-23页
     ·NiO薄膜电流-电压特性表征第23-24页
第三章 Pt外延薄膜的制备与微结构表征第24-36页
   ·Pt外延薄膜的研究现状第24-25页
   ·Pt外延薄膜的制备第25-30页
     ·不同衬底和沉积氛围制备Pt外延薄膜的晶体结构分析第25-27页
     ·不同衬底和沉积氛围制备Pt外延薄膜的表面形貌观测与分析第27-30页
   ·MgO(100)衬底上Pt外延薄膜制备条件的优化第30-34页
     ·沉积氛围对Pt外延薄膜晶向择优取向和表面形貌的影响第30-32页
     ·退火工艺与薄膜厚度对Pt(100)外延薄膜晶向的择优取向和表面形貌的影响第32-33页
     ·Pt(100)外延薄膜的TEM观测分析第33-34页
   ·Pt(100)外延薄膜的电阻率研究第34页
   ·本章小结第34-36页
第四章 NiO_x/Pt(100)外延薄膜的制备、微结构表征和电阻开关特性研究第36-46页
   ·不同生长温度NiO_x/Pt(100)薄膜的微结构表征和阻变特性研究第36-40页
     ·不同生长温度制备的NiO_x/Pt(100)薄膜XRD分析第36-37页
     ·不同生长温度制备的NiO_x/Pt(100)薄膜SEM分析第37-38页
     ·不同生长温度制备的NiO_x/Pt(100)薄膜电阻开关特性分析第38-40页
   ·不同温度退火处理后NiO_x薄膜的微结构表征和阻变特性研究第40-43页
     ·不同退火条件制备的NiO_x/Pt(100)薄膜微结构分析第40-41页
     ·不同退火条件制备的NiO_x/Pt(100)薄膜SEM分析第41-42页
     ·不同退火条件制备的NiO/Pt(100)薄膜电阻开关特性分析第42-43页
   ·NiO_x薄膜的电阻开关机制探讨第43-44页
   ·本章小结第44-46页
第五章 结论与展望第46-49页
     ·本文所得的主要结论第46-47页
   ·未来的研究计划与展望第47-49页
参考文献第49-58页
硕士期间发表论文与参加学术活动第58-59页
致谢第59页

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