| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·常见存储器的结构与分类简介 | 第10-12页 |
| ·阻变存储器的研究现状 | 第12-16页 |
| ·阻变存储器的结构与分类 | 第12-13页 |
| ·阻变存储器的研究现状 | 第13-15页 |
| ·阻变存储器的阻变原理简介 | 第15-16页 |
| ·NiO薄膜阻变特性的研究背景与现状 | 第16-17页 |
| ·本文的研究目的，内容及意义 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜的制备与微结构表征 | 第19-24页 |
| ·磁控溅射制备薄膜原理简介 | 第19页 |
| ·NiO薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·薄膜微结构表征方法原理简介 | 第20-22页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第21页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第21页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第21页 |
| ·X射线电子能谱分析(XPS) | 第21-22页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第22页 |
| ·薄膜电学性能测试方法简介 | 第22-24页 |
| ·四探针法测薄膜电阻率 | 第22-23页 |
| ·NiO薄膜电流-电压特性表征 | 第23-24页 |
| 第三章 Pt外延薄膜的制备与微结构表征 | 第24-36页 |
| ·Pt外延薄膜的研究现状 | 第24-25页 |
| ·Pt外延薄膜的制备 | 第25-30页 |
| ·不同衬底和沉积氛围制备Pt外延薄膜的晶体结构分析 | 第25-27页 |
| ·不同衬底和沉积氛围制备Pt外延薄膜的表面形貌观测与分析 | 第27-30页 |
| ·MgO(100)衬底上Pt外延薄膜制备条件的优化 | 第30-34页 |
| ·沉积氛围对Pt外延薄膜晶向择优取向和表面形貌的影响 | 第30-32页 |
| ·退火工艺与薄膜厚度对Pt(100)外延薄膜晶向的择优取向和表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| ·Pt(100)外延薄膜的TEM观测分析 | 第33-34页 |
| ·Pt(100)外延薄膜的电阻率研究 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 NiO_x/Pt(100)外延薄膜的制备、微结构表征和电阻开关特性研究 | 第36-46页 |
| ·不同生长温度NiO_x/Pt(100)薄膜的微结构表征和阻变特性研究 | 第36-40页 |
| ·不同生长温度制备的NiO_x/Pt(100)薄膜XRD分析 | 第36-37页 |
| ·不同生长温度制备的NiO_x/Pt(100)薄膜SEM分析 | 第37-38页 |
| ·不同生长温度制备的NiO_x/Pt(100)薄膜电阻开关特性分析 | 第38-40页 |
| ·不同温度退火处理后NiO_x薄膜的微结构表征和阻变特性研究 | 第40-43页 |
| ·不同退火条件制备的NiO_x/Pt(100)薄膜微结构分析 | 第40-41页 |
| ·不同退火条件制备的NiO_x/Pt(100)薄膜SEM分析 | 第41-42页 |
| ·不同退火条件制备的NiO/Pt(100)薄膜电阻开关特性分析 | 第42-43页 |
| ·NiO_x薄膜的电阻开关机制探讨 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 结论与展望 | 第46-49页 |
| ·本文所得的主要结论 | 第46-47页 |
| ·未来的研究计划与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-58页 |
| 硕士期间发表论文与参加学术活动 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
