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多频溅射沉积C和Si1-xCx薄膜材料的研究

中文摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-21页
 §1.1 超薄碳薄膜的研究进展第9-14页
 §1.2 富硅碳化硅薄膜的研究进展第14-19页
 §1.3 本文研究内容第19-21页
第二章 实验方法第21-29页
 §2.1 甚高频、射频磁控溅射实验装置与实验条件第21-23页
 §2.2 薄膜结构及性能的测量分析方法第23-27页
     ·原子力显微镜(AFM)分析第23-24页
     ·x射线光电子能谱(XPS)分析第24页
     ·傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析第24-25页
     ·X射线衍射(XRD)分析第25-26页
     ·光谱椭偏(EP)测量第26页
     ·水接触角分析第26-27页
 §2.3 拒斥场能量分析仪(RFEA)测量溅射离子能量第27-29页
第三章 驱动频率对碳薄膜沉积与结构的影响第29-43页
 §3.1 碳薄膜的膜厚与沉积速率第29-30页
 §3.2 碳薄膜微观结构的AFM分析第30-37页
 §3.3 碳薄膜结晶结构的XRD分析第37-40页
 §3.4 碳薄膜键结构的FTIR分析第40-43页
第四章 驱动频率对碳化硅薄膜沉积与性能的影响第43-62页
 §4.1 碳化硅薄膜的沉积速率第43-44页
 §4.2 碳化硅薄膜成分的XPS分析第44-49页
 §4.3 碳化硅薄膜微观结构的AFM分析第49-55页
 §4.4 碳化硅薄膜键结构的FTIR分析第55-58页
 §4.5 碳化硅薄膜的水接触分析第58-60页
 §4.6 碳化硅薄膜溅射沉积的离子能量关联第60-62页
第五章 结论第62-64页
 §5.1 本文的主要研究结果第62-63页
 §5.2 存在的问题和进一步研究方向第63-64页
参考文献第64-67页
攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果第67-68页
致谢第68-69页

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