| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·场致发射显示器原理 | 第9-10页 |
| ·薄膜场发射阴极阵列概述 | 第10-14页 |
| ·论文研究的内容 | 第14-16页 |
| ·论文研究的目的及意义 | 第14-15页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 薄膜制备方法和表征技术 | 第16-25页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第16页 |
| ·磁控溅射法的类型 | 第16-17页 |
| ·射频磁控溅射 | 第16-17页 |
| ·反应磁控溅射 | 第17页 |
| ·WTCJ-600磁控溅射镀膜系统的简介 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
| ·薄膜的沉积过程 | 第19-20页 |
| ·凝结过程 | 第19页 |
| ·薄膜的形成与生长 | 第19-20页 |
| ·基片清洗 | 第20-21页 |
| ·薄膜性能的表征技术 | 第21-25页 |
| ·表面轮廓仪 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第22-23页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第23页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| ·场发射性能测试系统(FE) | 第24-25页 |
| 第三章 SiO_2/PI复合薄膜绝缘性能研究 | 第25-41页 |
| ·介质膜概述 | 第25-26页 |
| ·SiO_2薄膜制备与性能分析 | 第26-30页 |
| ·SiO_2薄膜概述 | 第26-27页 |
| ·SiO_2薄膜的制备 | 第27页 |
| ·SiO_2薄膜的XRD分析 | 第27-28页 |
| ·SiO_2薄膜的AFM分析 | 第28-29页 |
| ·SiO_2薄膜的击穿性能分析 | 第29-30页 |
| ·PI薄膜制备与性能分析 | 第30-35页 |
| ·PI薄膜概述 | 第30-31页 |
| ·PI薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·亚胺化过程 | 第32-33页 |
| ·PI薄膜的XRD分析 | 第33-34页 |
| ·PI薄膜的AFM分析 | 第34-35页 |
| ·PI薄膜的击穿性能分析 | 第35页 |
| ·复合绝缘膜设计理论 | 第35-37页 |
| ·基于自愈合理论的绝缘层优化设计 | 第37-38页 |
| ·复合绝缘薄膜的电学性能分析 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 MIM(Metal-Insulator-Metal)阴极的制备及性能测试 | 第41-49页 |
| ·MIM结构能带图和电子散射过程 | 第41-42页 |
| ·MIM阴极的制作流程图 | 第42-43页 |
| ·下电极绝缘层制备 | 第43页 |
| ·电极间隙填平及上电极制备 | 第43-44页 |
| ·MIM阴极电子发射性能测试 | 第44-47页 |
| ·单/双层金属上电极的性能对比 | 第44-45页 |
| ·Cu/Ag不同厚度比性能的影响 | 第45-47页 |
| ·退火处理对MIM阴极的影响 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 MIN(Metal-Insulator-Nanostructures)阴极的制备及性能测试 | 第49-65页 |
| ·MIN阴极概述 | 第49-52页 |
| ·MIN结构电子发射机理 | 第49-50页 |
| ·MIN阴极电子运动轨迹模拟仿真 | 第50-52页 |
| ·MI-CNTs阴极制备与测试 | 第52-58页 |
| ·制备流程图 | 第52页 |
| ·CNTs表面改性及纯化处理 | 第52-53页 |
| ·喷涂法制备CNTs薄膜 | 第53-54页 |
| ·CNTs薄膜形貌表征 | 第54-55页 |
| ·CNTs薄膜电学性能测试 | 第55页 |
| ·MI-CNTs阴极电子发射性能测试 | 第55-58页 |
| ·MI-Graphene阴极制备与测试 | 第58-62页 |
| ·石墨烯薄膜制备 | 第58-59页 |
| ·石墨烯薄膜转移 | 第59-60页 |
| ·石墨烯薄膜形貌表征 | 第60-61页 |
| ·MI-Graphene阴极电子发射性能测试 | 第61-62页 |
| ·MIN结构与MIM结构性能对比 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 个人简历 | 第74-75页 |
| 攻读硕士期间的研究成果及发表的学术论文 | 第75-76页 |