中文摘要 | 第1-4页 |
abstract | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-26页 |
·磁光学基本理论 | 第10-13页 |
·磁性产生机理 | 第10页 |
·磁性主要分类 | 第10-11页 |
·磁光效应理论 | 第11-13页 |
·法拉第效应(Faraday Effect) | 第12-13页 |
·克尔效应(Kerr Effect) | 第13页 |
·磁光材料简介 | 第13-19页 |
·磁光材料研究状况 | 第14-15页 |
·磁光材料主要类别 | 第15-16页 |
·磁光材料的应用 | 第16-19页 |
·稀土钼酸盐磁光晶体概述 | 第19-22页 |
·稀土铝酸盐研究状况 | 第19-20页 |
·稀土钼酸盐特点 | 第20-22页 |
·选题依据与意义 | 第22-25页 |
·本论文主要研究内容 | 第25-26页 |
第二章 晶体生长方法与检测仪器简介 | 第26-44页 |
·晶体生长机理与方法 | 第26-29页 |
·晶体生长基本机理 | 第26-28页 |
·晶体生长方法分类 | 第28-29页 |
·提拉法简介 | 第29-32页 |
·提拉法基本原理 | 第29-30页 |
·提拉法主要装置 | 第30-31页 |
·提拉法实验步骤 | 第31-32页 |
·提拉法主要特点 | 第32页 |
·熔盐法简介 | 第32-35页 |
·熔盐法基本原理 | 第33-34页 |
·助熔剂分类与选择 | 第34-35页 |
·熔盐法主要特点 | 第35页 |
·本论文主要试剂和仪器 | 第35-43页 |
·主要试剂 | 第35-36页 |
·主要仪器及原理 | 第36-43页 |
·热重-差热分析(TGA-DTA) | 第36-37页 |
·X射线粉末衍射仪(XRD) | 第37-38页 |
·红外光谱仪(FT-IR) | 第38-39页 |
·振动样品磁强计(VSM) | 第39页 |
·紫外-可见光谱仪(UV-Vis) | 第39-40页 |
·电感耦合等离子-发射光谱分析仪(ICP-AES) | 第40-41页 |
·扫描电镜-X射线能谱分析联用仪(SEM-EDS) | 第41-42页 |
·法拉第旋转角测试 | 第42-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第三章 Na_2Tb_4(MoO_4)_7提拉法晶体生长和性能表征 | 第44-79页 |
·引言 | 第44页 |
·Na_2Tb_4(MoO_4)_7多晶原料合成与表征 | 第44-48页 |
·高温固相法合成多晶原料 | 第44-46页 |
·热分析 | 第44-45页 |
·烧结工艺 | 第45-46页 |
·多晶原料X-射线粉末物相分析 | 第46-47页 |
·红外光谱分析 | 第47-48页 |
·Na_2Tb_4(MoO_4)_7提拉法晶体生长 | 第48-58页 |
·晶体生长影响因素分析 | 第48-53页 |
·晶体生长参数 | 第53页 |
·生长的晶体与加工的晶片 | 第53-56页 |
·晶体生长结果分析 | 第56-58页 |
·Na_2Tb_4(MoO_4)_7晶体结构与组分分析 | 第58-62页 |
·晶体的结构分析 | 第58-60页 |
·晶体的组分分析 | 第60-62页 |
·晶面能谱分析 | 第60-61页 |
·分凝系数的计算 | 第61-62页 |
·Na_2Tb_4(MoO_4)_7晶体缺陷分析 | 第62-69页 |
·晶体缺陷的分类 | 第62-63页 |
·晶体缺陷的研究方法 | 第63-64页 |
·Na_2Tb_4(MoO_4)_7晶体缺陷分析 | 第64-69页 |
·Na_2Tb_4(MoO_4)_7晶体基本物理性质 | 第69-72页 |
·晶体的密度 | 第69-70页 |
·晶体的硬度 | 第70-71页 |
·硬度表征方法 | 第70页 |
·晶体硬度测量 | 第70-71页 |
·晶体的热膨胀系数 | 第71-72页 |
·Na_2Tb_4(MoO_4)_7晶体磁光性能 | 第72-77页 |
·晶体透射光谱表征 | 第72-76页 |
·生长气氛的影响 | 第73页 |
·退火工艺的影响 | 第73-76页 |
·晶体的磁光性能 | 第76-77页 |
·法拉第旋转角测定 | 第76-77页 |
·费尔德常数计算 | 第77页 |
·小结 | 第77-79页 |
第四章 Tb_6MoO_(12)缓冷法晶体生长和性能表征 | 第79-97页 |
·引言 | 第79页 |
·Tb_6MoO_(12)多晶原料合成与表征 | 第79-85页 |
·高温固相法合成多晶原料 | 第79-82页 |
·相图分析 | 第79-80页 |
·热分析 | 第80-81页 |
·烧结工艺 | 第81-82页 |
·多晶原料X-射线粉末物相分析 | 第82-84页 |
·MoO_3含量的影响 | 第82-83页 |
·烧结温度的影响 | 第83-84页 |
·红外光谱分析 | 第84-85页 |
·Tb_6MoO_(12)缓冷法晶体生长 | 第85-88页 |
·Tb_6MoO_(12)晶体生长与结果 | 第86页 |
·晶体生长结果分析 | 第86-88页 |
·Tb_6MoO_(12)晶体结构与组分 | 第88-91页 |
·晶体的结构分析 | 第88-90页 |
·晶体的组分分析 | 第90-91页 |
·Tb_6MoO_(12)晶体缺陷分析 | 第91-93页 |
·Tb_6MoO_(12)晶体基本物理性质 | 第93-95页 |
·晶体的密度 | 第93-94页 |
·晶体的硬度 | 第94页 |
·晶体的热膨胀系数 | 第94-95页 |
·Tb_6MoO_(12)晶体低温磁性分析 | 第95-96页 |
·小结 | 第96-97页 |
第五章 Tb_6MoO_(12)熔盐法晶体生长的探索 | 第97-107页 |
·引言 | 第97页 |
·Tb_6MoO_(12)晶体生长助熔剂的探索 | 第97-101页 |
·单/双钼酸盐助熔剂体系 | 第97-98页 |
·硫酸盐助熔剂体系 | 第98-99页 |
·其他复合助熔剂体系 | 第99-101页 |
·结果分析与讨论 | 第101-106页 |
·不同助熔剂对实验结果的影响 | 第101-105页 |
·钼酸盐助熔剂实验结果分析 | 第101页 |
·硫酸盐助熔剂实验结果分析 | 第101-103页 |
·其它复合助熔剂实验结果分析 | 第103-105页 |
·生长工艺对实验结果的影响 | 第105-106页 |
·生长温度的影响 | 第105页 |
·升降温速率的影响 | 第105页 |
·其它因素的影响 | 第105-106页 |
·小结 | 第106-107页 |
结论与展望 | 第107-109页 |
参考文献 | 第109-121页 |
致谢 | 第121-122页 |
个人简历 | 第122页 |