新型OVT内电场分析与传感头优化设计
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·OVT的研究意义 | 第8-9页 |
| ·近年来OVT的研究现状 | 第9-10页 |
| ·新型OVT的研究意义 | 第10-11页 |
| ·课题来源与本文主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 传统OVT测量原理概述 | 第13-23页 |
| ·Pockels效应 | 第13-16页 |
| ·电光效应 | 第13-14页 |
| ·Pockels效应对晶体折射率的影响 | 第14-16页 |
| ·偏光干涉光强检测原理 | 第16-22页 |
| ·光强检测原理 | 第17-18页 |
| ·近似线性测量 | 第18-20页 |
| ·调制方式 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 OVT偏光干涉测量模式的局限性 | 第23-34页 |
| ·局限性分析 | 第23-29页 |
| ·温漂问题 | 第23-28页 |
| ·晶体附加相位延迟 | 第28页 |
| ·半波电压的限制 | 第28-29页 |
| ·温度补偿法 | 第29-33页 |
| ·双光路补偿 | 第29-31页 |
| ·双晶体补偿 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 基于会聚偏光干涉原理的新型OVT | 第34-48页 |
| ·会聚偏光干涉原理 | 第34-38页 |
| ·琼斯矩阵介绍 | 第35-36页 |
| ·会聚偏光干涉光强分布 | 第36-38页 |
| ·基于会聚偏光干涉原理的新型OVT | 第38-41页 |
| ·测量原理 | 第38页 |
| ·偏振面与消光影的关系 | 第38-40页 |
| ·相位延迟角与偏振面的关系 | 第40页 |
| ·相位延迟与消光影的关系 | 第40-41页 |
| ·实验验证 | 第41-47页 |
| ·实验系统 | 第41页 |
| ·光斑旋转角的测量 | 第41-44页 |
| ·实验结果 | 第44-45页 |
| ·实验结果分析 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 新型OVT结构设计与内电场分析 | 第48-62页 |
| ·电场仿真基础 | 第48-53页 |
| ·电场仿真原理概述 | 第48-51页 |
| ·有限元法 | 第51-52页 |
| ·电磁场有限元仿真软件介绍 | 第52-53页 |
| ·内电场仿真意义 | 第53页 |
| ·初步结构设计 | 第53-57页 |
| ·常见无容分压式OVT结构类型 | 第53-55页 |
| ·初步结构 | 第55-57页 |
| ·新型OVT结构设计与内电场仿真 | 第57-61页 |
| ·传感头结构设计 | 第57-61页 |
| ·内电场仿真 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 OVT传感头优化设计 | 第62-74页 |
| ·传感头电场分析 | 第62-66页 |
| ·传感头结构 | 第62-63页 |
| ·晶体形状对传感头电场分布的影响 | 第63-65页 |
| ·外电场干扰对OVT电压测量的影响 | 第65-66页 |
| ·基于横向调制方式的传感头优化设计 | 第66-73页 |
| ·晶体内电场分布情况 | 第67页 |
| ·电场分布不均匀造成的影响 | 第67-69页 |
| ·改善晶体电场分布的方法 | 第69-72页 |
| ·粘接玻璃可能造成的影响 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 结论与展望 | 第74-76页 |
| 主要成果及结论 | 第74-75页 |
| 展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 个人简历 | 第81页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第81页 |
