| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 主要符号对照表 | 第11-12页 |
| 第一章 无机纳米材料表面改性（综述） | 第12-26页 |
| ·简介 | 第12-13页 |
| ·纳米线的制备 | 第13-14页 |
| ·纳米线表面修饰 | 第14-19页 |
| ·聚合物修饰 | 第15-16页 |
| ·有机分子修饰 | 第16-18页 |
| ·生物分子修饰 | 第18-19页 |
| ·量子点有机改性 | 第19-24页 |
| ·硒化镉量子点表面有机分子改性 | 第20-21页 |
| ·硒化镉量子点核-壳结构改性 | 第21-22页 |
| ·硒化镉量子点低聚物的表面改性 | 第22-23页 |
| ·硒化镉量子点作为生物荧光探针的应用 | 第23-24页 |
| ·CdSe 量子点对细胞、DNA 等生物大分子的标记和检测 | 第23-24页 |
| ·CdSe 量子点应用于活体成像 | 第24页 |
| ·展望 | 第24-26页 |
| 第二章 聚（γ-苄基-L 谷氨酸-N-羧基-环内酸酐）对羟基磷灰石-β-丙氨酸的嫁接改性的合成与表征 | 第26-38页 |
| ·前言 | 第26-27页 |
| ·实验部分 | 第27-30页 |
| ·试剂与仪器 | 第27-28页 |
| ·试剂 | 第27页 |
| ·仪器 | 第27-28页 |
| ·采用原位法制备表面具有氨基的羟基磷灰石纳米晶体-HAP-β-丙氨酸（HAP-NH_2） | 第28页 |
| ·制备γ-苄基-L 谷氨酸-N-羧基-环内酸酐（BLG-NCA） | 第28-29页 |
| ·制备羟基磷灰石-β-丙氨酸-聚（γ-苄基-L-谷氨酸）（HAP-PBLG） | 第29页 |
| ·制备羟基磷灰石-β-丙氨酸-聚（L-谷氨酸）（HAP-PLGA） | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-37页 |
| ·在 HAP-羟基磷灰石-β-丙氨酸（HAP-NH2）上嫁接聚（γ-苄基-L-谷氨酸） | 第30-32页 |
| ·羟基磷灰石-β-丙氨酸-聚（L-谷氨酸）（HAP-PLGA）的合成 | 第32页 |
| ·X 射线粉末衍射仪（XRD）图谱 | 第32-33页 |
| ·透射电镜（TEM） | 第33-34页 |
| ·~1H NMR 图谱 | 第34-36页 |
| ·红外图谱 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 “Solution-Liquid-Solid”法合成 CdSe 量子点 | 第38-46页 |
| ·前言 | 第38页 |
| ·实验部分 | 第38-40页 |
| ·试剂与仪器 | 第38-39页 |
| ·试剂 | 第38-39页 |
| ·仪器 | 第39页 |
| ·实验步骤 | 第39-40页 |
| ·制备 Bi[N(SiMe_3)_2]_3 | 第39页 |
| ·Bi 纳米粒子的制备 | 第39页 |
| ·制备 TOP-Se | 第39页 |
| ·制备 CdSe 族 | 第39-40页 |
| ·制备 CdSe 量子点 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-44页 |
| ·本章小节 | 第44-46页 |
| 第四章 低温水溶液中合成半胱氨酸修饰、直线型的 CdTe/CdS 核-壳结构纳米线 | 第46-60页 |
| ·前言 | 第46-47页 |
| ·实验部分 | 第47-49页 |
| ·试剂与仪器 | 第47-48页 |
| ·试剂 | 第47-48页 |
| ·仪器 | 第48页 |
| ·制备 NaTeH 溶液 | 第48页 |
| ·制备 CdTe/CdS 纳米线 | 第48-49页 |
| ·细胞培养 | 第49页 |
| ·细胞活性检测 | 第49页 |
| ·结果图讨论 | 第49-59页 |
| ·半光氨酸-CdTe/CdS 纳米线的合成 | 第49页 |
| ·反应时间对 CdTe/CdS 纳米晶体形貌的影响 | 第49-52页 |
| ·半胱氨酸-CdTe/CdS 纳米晶体的光学性质 | 第52-54页 |
| ·晶相 | 第54-57页 |
| ·细胞 | 第57-59页 |
| ·本章小节 | 第59-60页 |
| 第五章 论文总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-76页 |
| 在学位期间发表的学术成果及获奖情况 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
