| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-21页 |
| ·前言 | 第13页 |
| ·CdS的基本性质 | 第13-14页 |
| ·各种形态的CdS制备及研究现状 | 第14-17页 |
| ·零维CdS制备及研究现状 | 第15页 |
| ·一维CdS制备及研究现状 | 第15-16页 |
| ·二维CdS制备及研究现状 | 第16-17页 |
| ·CdS的应用前景 | 第17-20页 |
| ·光伏n型窗口材料 | 第17-18页 |
| ·光敏电阻器件 | 第18-19页 |
| ·光电化学制氢材料 | 第19页 |
| ·发光材料 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 CdS薄膜的制备理论及表征 | 第21-33页 |
| ·化学水浴沉积法(CBD)制备CdS薄膜原理 | 第21-23页 |
| ·真空蒸发法制备CdS薄膜 | 第23-27页 |
| ·真空蒸发法设备 | 第23-25页 |
| ·真空蒸发法设备的操作流程 | 第25页 |
| ·真空蒸发法的CdS薄膜形成原理 | 第25-27页 |
| ·检测手段 | 第27-33页 |
| ·X射线衍射物相分析(XRD) | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第28页 |
| ·透射谱 | 第28-29页 |
| ·Raman光谱 | 第29页 |
| ·荧光光谱 | 第29-30页 |
| ·膜厚测量 | 第30-31页 |
| ·四探针法测方块电阻 | 第31-33页 |
| 第3章 CdS薄膜的CBD法制备及表征 | 第33-51页 |
| ·实验及表征仪器 | 第33页 |
| ·实验药品 | 第33-34页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·衬底清洁处理 | 第34页 |
| ·反应溶液的配置 | 第34页 |
| ·实验制备过程 | 第34-35页 |
| ·CdS薄膜的确定 | 第35-37页 |
| ·实验条件对沉积CdS薄膜的影响 | 第37-50页 |
| ·氯化铵的浓度对CdS薄膜的影响 | 第38-39页 |
| ·硫脲的浓度对CdS薄膜的影响 | 第39-40页 |
| ·氯化镉的浓度对CdS薄膜的影响 | 第40-41页 |
| ·溶液的pH值对CdS薄膜的影响 | 第41-42页 |
| ·反应温度对薄膜生长速率的影响 | 第42-44页 |
| ·沉积时间对CdS薄膜的影响 | 第44-45页 |
| ·超声震荡对CdS薄膜的影响 | 第45-46页 |
| ·退火处理对CdS薄膜的影响 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 CdS薄膜的真空蒸发法制备及表征 | 第51-61页 |
| ·真空蒸发法的实验仪器及药品 | 第51页 |
| ·蒸发电流对CdS薄膜的影响 | 第51-53页 |
| ·沉积时间与CdS薄膜厚度的关系 | 第53-54页 |
| ·退火处理对CdS薄膜的结构、形貌和透射率的影响 | 第54-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 CdS/Cu_2S双层膜的制备和导电特性研究 | 第61-69页 |
| ·前言 | 第61页 |
| ·实验部分 | 第61-62页 |
| ·实验药品 | 第61页 |
| ·实验方法及原理 | 第61-62页 |
| ·实验溶液的配置 | 第62页 |
| ·CBD法制备的CdS/Cu_2S的表征 | 第62-64页 |
| ·真空蒸发法制备的CdS/Cu_2S的表征 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-69页 |
| 论文总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 科研成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |