锆铈铁三掺铌酸锂晶体生长及光全息存储性能的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·光学体全息存储技术 | 第10-12页 |
| ·光学体全息存储器的特点 | 第10-11页 |
| ·光学体全息存储的研究进展 | 第11-12页 |
| ·体全息存储的记录材料 | 第12页 |
| ·铌酸锂晶体材料 | 第12-15页 |
| ·铌酸锂晶体结构 | 第12-13页 |
| ·铌酸锂晶体的本征缺陷 | 第13页 |
| ·铌酸锂晶体的非本征缺陷 | 第13-15页 |
| ·课题的来源与意义 | 第15页 |
| ·论文主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 锆铈铁铌酸锂晶体生长及器件制备 | 第17-28页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·锆铈铁铌酸锂晶体生长 | 第17-24页 |
| ·原料配比 | 第17-18页 |
| ·晶体生长流程 | 第18-19页 |
| ·晶体生长设备装置 | 第19-20页 |
| ·晶体生长工艺参数的选择 | 第20-24页 |
| ·全息存储器件制备 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 锆铈铁铌酸锂晶体光谱及缺陷分析 | 第28-38页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·X-射线衍射 | 第28-32页 |
| ·X-射线粉末衍射技术的基本原理 | 第28-29页 |
| ·X-射线粉末衍射测试结果与分析 | 第29-32页 |
| ·红外 OH-光谱 | 第32-34页 |
| ·红外光谱测试结果 | 第32-34页 |
| ·OH-吸收峰移动机理及缺陷分析 | 第34页 |
| ·紫外-可见光吸收光谱 | 第34-36页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试结果 | 第34-36页 |
| ·基础吸收边移动机理及缺陷分析 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 锆铈铁铌酸锂晶体的光折变性能 | 第38-50页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·光折变效应的物理机制 | 第38-42页 |
| ·光折变材料主要性能参数 | 第42-45页 |
| ·衍射效率 | 第42-43页 |
| ·饱和折射率调制度的幅值 | 第43页 |
| ·写入时间和擦除时间 | 第43页 |
| ·光折变灵敏度 | 第43-44页 |
| ·动态范围 | 第44-45页 |
| ·锆铈铁铌酸锂晶体的全息存储性能 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 锆铈铁铌酸锂晶体的抗光损伤性能 | 第50-55页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·抗光损伤能力的测试方法 | 第50-52页 |
| ·锆铈铁铌酸锂晶体的抗光损伤能力 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 作者简介 | 第64页 |
