SnTe高压结构相变与物性研究
论文提要 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-8页 |
Abstract | 第8-16页 |
第一章 绪论 | 第16-24页 |
·高压条件 | 第16-17页 |
·高压下的材料结构 | 第17-19页 |
·窄带隙半导体材料碲化锡 | 第19-21页 |
·论文选题目的和意义 | 第21-24页 |
第二章 理论和实验方法 | 第24-44页 |
·密度泛函理论 | 第24-29页 |
·晶体结构的确定 | 第29-34页 |
·晶体结构稳定性判断 | 第34-35页 |
·BCS 理论和 McMillan 方程 | 第35-37页 |
·金刚石对顶砧技术 | 第37-44页 |
第三章 碲化锡的高压结构相变和相变机制 | 第44-66页 |
·背景介绍 | 第44-46页 |
·实验和理论方法 | 第46-48页 |
·X-射线衍射实验数据 | 第48-50页 |
·理论结构预测 | 第50-53页 |
·理论和实验数据对比 | 第53-61页 |
·高压相变的机制 | 第61-64页 |
·小结 | 第64-66页 |
第四章 高压下碲化锡的拓扑晶态绝缘态 | 第66-80页 |
·SnTe 拓扑晶态绝缘体的提出 | 第66-67页 |
·极端条件下碲化锡电子性质的研究进展 | 第67-68页 |
·计算细节 | 第68页 |
·极端条件下拓扑绝缘相的声子谱 | 第68-71页 |
·拓扑绝缘相的带隙随压强变化 | 第71-74页 |
·压力下的拓扑形貌转变 | 第74-77页 |
·压力下电荷转移行为 | 第77-79页 |
·小结 | 第79-80页 |
第五章 碲化锡的压制超导转变 | 第80-94页 |
·背景介绍 | 第80-81页 |
·计算细节 | 第81-82页 |
·高压下的电子能带特征 | 第82-86页 |
·高压下的电子拓扑形貌转变 | 第86-89页 |
·高压下的超导电性 | 第89-91页 |
·小结 | 第91-94页 |
第六章 总结与展望 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-114页 |
攻读研究生期间公开发表的学术论文 | 第114-115页 |
作者简介 | 第115-116页 |
致谢 | 第116-117页 |