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SnTe高压结构相变与物性研究

论文提要第1-5页
摘要第5-8页
Abstract第8-16页
第一章 绪论第16-24页
   ·高压条件第16-17页
   ·高压下的材料结构第17-19页
   ·窄带隙半导体材料碲化锡第19-21页
   ·论文选题目的和意义第21-24页
第二章 理论和实验方法第24-44页
   ·密度泛函理论第24-29页
   ·晶体结构的确定第29-34页
   ·晶体结构稳定性判断第34-35页
   ·BCS 理论和 McMillan 方程第35-37页
   ·金刚石对顶砧技术第37-44页
第三章 碲化锡的高压结构相变和相变机制第44-66页
   ·背景介绍第44-46页
   ·实验和理论方法第46-48页
   ·X-射线衍射实验数据第48-50页
   ·理论结构预测第50-53页
   ·理论和实验数据对比第53-61页
   ·高压相变的机制第61-64页
   ·小结第64-66页
第四章 高压下碲化锡的拓扑晶态绝缘态第66-80页
   ·SnTe 拓扑晶态绝缘体的提出第66-67页
   ·极端条件下碲化锡电子性质的研究进展第67-68页
   ·计算细节第68页
   ·极端条件下拓扑绝缘相的声子谱第68-71页
   ·拓扑绝缘相的带隙随压强变化第71-74页
   ·压力下的拓扑形貌转变第74-77页
   ·压力下电荷转移行为第77-79页
   ·小结第79-80页
第五章 碲化锡的压制超导转变第80-94页
   ·背景介绍第80-81页
   ·计算细节第81-82页
   ·高压下的电子能带特征第82-86页
   ·高压下的电子拓扑形貌转变第86-89页
   ·高压下的超导电性第89-91页
   ·小结第91-94页
第六章 总结与展望第94-96页
参考文献第96-114页
攻读研究生期间公开发表的学术论文第114-115页
作者简介第115-116页
致谢第116-117页

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