| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·中间带太阳电池的研究背景及进展 | 第9-11页 |
| ·中间带太阳电池的实验目的和意义 | 第11-12页 |
| ·中间带太阳电池的原理 | 第12-16页 |
| 第二章 CuGaSe_2:Ge中间带半导体材料的制备及表征 | 第16-27页 |
| ·PLD脉冲激光沉积技术原理 | 第16-18页 |
| ·薄膜测试仪器及测试原理 | 第18-21页 |
| ·实验靶材 | 第18页 |
| ·实验设备 | 第18-19页 |
| ·基片的选择与清洗 | 第19-20页 |
| ·衬底温度的选择 | 第20页 |
| ·薄膜退火 | 第20-21页 |
| ·CuGaSe_2:Ge中间带半导体薄膜性能表征 | 第21-26页 |
| ·薄膜的膜厚测量 | 第21-22页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第22-23页 |
| ·薄膜的光学特性分析 | 第23-24页 |
| ·薄膜的电学性能分析 | 第24-26页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第26页 |
| ·薄膜的表面形貌分析 | 第26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第三章 不同组分CuGaSe_2:Ge薄膜的制备及分析 | 第27-40页 |
| ·CuGaSe_2:Ge薄膜的制备 | 第27-28页 |
| ·CuGaSe_2:Ge薄膜表面形貌及化学组分 | 第28-32页 |
| ·不同组分CuGaSe_2:Ge薄膜的晶体结构 | 第32-35页 |
| ·CuGaSe_2:Ge薄膜的光吸收特性 | 第35-38页 |
| ·CuGaSe_2:Ge半导体薄膜的电阻率 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第四章 总结与工作展望 | 第40-42页 |
| ·总结 | 第40-41页 |
| ·工作展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 硕士期间发表学术论文 | 第46页 |