| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-28页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·非易失性的电致电阻转变（RRAM）简介 | 第10-23页 |
| ·RRAM 的定义及原理 | 第11-12页 |
| ·RRAM 的转变模式 | 第12-13页 |
| ·RRAM 的材料体系 | 第13-14页 |
| ·RRAM 的阻变机制 | 第14-18页 |
| ·RRAM 的特性参数 | 第18-19页 |
| ·RRAM 面临的关键性问题 | 第19-20页 |
| ·RRAM 的发展趋势 | 第20页 |
| ·RRAM 的影响因素 | 第20-23页 |
| ·易失性的电致阻变简介 | 第23-25页 |
| ·易失性的阻变材料及机理 | 第24页 |
| ·易失性阻变应用前景 | 第24-25页 |
| ·易失性阻变遭遇的困难 | 第25页 |
| ·本论文的研究意义，目标及内容 | 第25-28页 |
| 2 实验方法与表征 | 第28-36页 |
| ·器件制备方法 | 第28-31页 |
| ·基片的清洗 | 第28页 |
| ·底电极、ZnO 和 V_2O_5薄膜制备 | 第28-30页 |
| ·器件顶电极制备 | 第30-31页 |
| ·器件表征方法 | 第31-36页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第31-32页 |
| ·薄膜形貌 | 第32-33页 |
| ·薄膜的晶体结构 | 第33-34页 |
| ·器件电学性能的测试 | 第34-36页 |
| 3 金属电极的内禀属性及界面对 ZnO 薄膜阻变性能的影响 | 第36-50页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·对称结构的阻变特性 | 第36-43页 |
| ·对称结构的低阻态和高祖态电阻（Ω _(HRS)，Ω _(LRS)） | 第38-41页 |
| ·对称结构的 Set 电压和 Reset 电压（V_(set)，V_(reset)） | 第41-42页 |
| ·对称结构的 Forming 电压（V_(forming)） | 第42-43页 |
| ·非对称结构的阻变行为 | 第43-46页 |
| ·M/ZnO/Pt（M=Pt，Au，Ni，Cu，Ag）阻变特性 | 第43-45页 |
| ·其它非对称结构的阻变行为 | 第45-46页 |
| ·第一性原理计算 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-50页 |
| 4 金属电极的内禀属性及钒变价对 V_2O_5薄膜基性能的影响 | 第50-62页 |
| ·V_2O_5薄膜的表征 | 第51-54页 |
| ·V_2O_5薄膜的结构 | 第51-53页 |
| ·V_2O_5薄膜的表面形貌 | 第53-54页 |
| ·V_2O_5薄膜基的电致电阻转变 | 第54-57页 |
| ·惰性电极的阻变行为 | 第54-56页 |
| ·活性电极的阻变行为 | 第56-57页 |
| ·V_2O_5薄膜基的电致阻变与变色 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 5 工作总结与展望 | 第62-64页 |
| ·工作总结 | 第62-63页 |
| ·工作展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 附录 | 第74页 |
