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基于65nm工艺嵌入式存储器MBIST电路的研究

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
目录第6-8页
第1章 绪论第8-14页
   ·集成电路的可测性设计简介第8页
   ·存储器测试的背景和意义第8-10页
   ·嵌入式存储器测试第10-13页
     ·测试方法的分类第10-12页
     ·测试方法的比较第12-13页
   ·论文的研究内容第13-14页
第2章 存储器的故障模型及常见算法第14-22页
   ·存储器的基本分类第14页
   ·存储器的故障类型第14-18页
     ·存储单元阵列故障第15-18页
     ·周边电路逻辑故障第18页
   ·常见的存储器测试算法第18-21页
   ·本章小结第21-22页
第3章 测试电路March算法的研究第22-43页
   ·存储器的故障建模第22-24页
     ·单一单元故障(SCFs)第22-23页
     ·双单元故障(DCFs)第23-24页
   ·经典的March算法第24-26页
   ·故障原语分析研究第26-29页
     ·单一单元故障的分析第26-27页
     ·双单元故障分析第27-29页
   ·新March算法的提出第29-31页
   ·算法March YF的电路实现第31-36页
     ·MBISTArchitect使用流程第31-32页
     ·存储器模型建模第32-34页
     ·March YF算法的定义第34-36页
   ·March YF仿真验证第36-43页
     ·算法仿真第36-37页
     ·波形描述第37-43页
第4章 自定义测试电路第43-52页
   ·测试电路的模块结构第43-44页
   ·测试电路的工作原理第44-45页
   ·自定义测试电路的测试方案第45-48页
     ·保持V_(min)的测量第47页
     ·读操作V_(min)的测量第47页
     ·写操作V_(min)的测量第47-48页
   ·自定义测试优点第48页
   ·测试电路的仿真验证第48-52页
     ·电路仿真第48-49页
     ·波形描述第49-52页
第5章 总结与展望第52-53页
参考文献第53-55页
附图表第55-57页
致谢第57页

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