| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 第一节 金属氧化物 | 第12-21页 |
| ·铌酸锂晶体 | 第14-16页 |
| ·铜钪氧化物 | 第16-19页 |
| ·氧化铕 | 第19-21页 |
| 第二节 氧化物的生长技术 | 第21-27页 |
| ·Czochralski 提拉法 | 第22-25页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第25-27页 |
| 第三节 铌酸锂晶体的缺陷调控 | 第27-28页 |
| 第四节 本论文的构成 | 第28-30页 |
| 第二章 掺锆铌酸锂晶体抗紫外光损伤性能研究 | 第30-46页 |
| 第一节 铌酸锂晶体的光损伤 | 第30-35页 |
| ·光折变效应机理 | 第30-33页 |
| ·铌酸锂晶体的抗光损伤 | 第33-35页 |
| 第二节 铌酸锂晶体的紫外光损伤 | 第35-36页 |
| 第三节 掺锆铌酸锂晶体简介 | 第36-38页 |
| 第四节 掺锆铌酸锂晶体的抗紫外光损伤性能 | 第38-45页 |
| 第五节 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 三掺铌酸锂晶体非挥发性全息存储性能研究 | 第46-63页 |
| 第一节 非挥发性全息存储 | 第46-50页 |
| 第二节 锆铁锰掺杂铌酸锂晶体的非挥发性全息存储 | 第50-56页 |
| ·光折变灵敏度的提高 | 第50-51页 |
| ·LiNbO_3:Fe,Mn 晶体的能级设计和缺陷调控 | 第51-53页 |
| ·LiNbO_3:Zr,Fe,Mn 晶体的非挥发性全息存储 | 第53-56页 |
| 第三节 锆铜铈掺杂铌酸锂晶体的非挥发性全息存储 | 第56-61页 |
| ·LiNbO_3:Zr,Cu,Ce 晶体的非挥发性全息存储性能 | 第57-60页 |
| ·三掺铌酸锂晶体的光致散射研究 | 第60-61页 |
| 第四节 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 铜钪氧化物激子性能研究 | 第63-79页 |
| 第一节 激子理论 | 第63-66页 |
| ·激子结合能 | 第64-65页 |
| ·激子的吸收 | 第65页 |
| ·高密度下的自由激子 | 第65-66页 |
| 第二节 半导体中的载流子动力学 | 第66-69页 |
| ·载流子的产生 | 第67-68页 |
| ·载流子的弛豫过程 | 第68-69页 |
| 第三节 CuScO_2薄膜的生长及基本光学性能 | 第69-73页 |
| ·CuScO_2薄膜的生长 | 第69-70页 |
| ·CuScO_2薄膜的基本光学性能 | 第70-73页 |
| 第四节 CuScO_2激子超快动力学 | 第73-78页 |
| ·实验方法 | 第73-76页 |
| ·实验结果及讨论 | 第76-78页 |
| 第五节 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 氧化铕薄膜磁有序的超快光调控 | 第79-107页 |
| 第一节 光致超快磁动力学 | 第79-85页 |
| ·超快退磁化 | 第80-82页 |
| ·光致磁相变 | 第82-83页 |
| ·光致磁各向异性 | 第83-84页 |
| ·磁进动动力学 | 第84-85页 |
| 第二节 氧化铕的铁磁性理论 | 第85-86页 |
| 第三节 实验方法 | 第86-90页 |
| ·磁光法拉第效应简介 | 第86-87页 |
| ·时间分辨磁光法拉第旋转探测实验装置 | 第87-90页 |
| 第四节 氧化铕薄膜的生长及基本性质 | 第90-95页 |
| ·氧化铕薄膜的生长 | 第90-93页 |
| ·氧化铕薄膜的吸收谱 | 第93-94页 |
| ·氧化铕薄膜的磁学性能 | 第94-95页 |
| 第五节 氧化铕薄膜的超快磁动力学 | 第95-100页 |
| 第六节 氧化铕薄膜的磁进动研究 | 第100-106页 |
| 第七节 本章小结 | 第106-107页 |
| 第六章 总结与展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 个人简历 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第123-125页 |
