摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
·铁电材料简介 | 第9-12页 |
·铁电体的概述 | 第9-10页 |
·铁电薄膜材料 | 第10页 |
·一维铁电纳米材料 | 第10-11页 |
·目前存储器用的铁电材料 | 第11页 |
·铁电材料改性方法 | 第11-12页 |
·铁电存储器的简介 | 第12-15页 |
·铁电随机存取存储器(FeRAM) | 第13页 |
·铁电场效应晶体管(FeFET) | 第13-14页 |
·铁电存储器的研究现状 | 第14-15页 |
·本文选题依据和主要研究内容 | 第15-17页 |
第二章 低维铁电材料和 FeFET 的制备及表征方法 | 第17-26页 |
·铁电薄膜制备和表征方法 | 第17-20页 |
·铁电薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
·铁电薄膜的表征方法 | 第18-20页 |
·一维铁电纳米材料的制备与表征方法 | 第20-22页 |
·一维铁电纳米材料的制备方法 | 第20-21页 |
·一维铁电纳米材料的表征方法 | 第21-22页 |
·FeFET 的制备与表征方法 | 第22-26页 |
·FeFET 的制备方法 | 第22-24页 |
·MFIS 结构薄膜 FeFET 的制备流程 | 第22-23页 |
·纳米结构 FeFET 的制备流程 | 第23-24页 |
·FeFET 的表征方法 | 第24-26页 |
第三章 Bi_(4-x)Ce_xTi_3O_(12)铁电薄膜的制备与表征 | 第26-36页 |
·引言 | 第26页 |
·Bi_(4-x)Ce_xTi_3O_(12)铁电薄膜的 Sol-Gel法制备 | 第26-30页 |
·Sol-Gel 法制膜的基本原理 | 第26-27页 |
·Sol-Gel 法制膜所需原材料及设备 | 第27-28页 |
·Bi_(4-x)Ce_xTi_3O_(12)薄膜制备工艺 | 第28-30页 |
·Bi_(4-x)Ce_xTi_3O_(12)铁电薄膜的表征 | 第30-35页 |
·Bi_(4-x)Ce_xTi_3O_(12)铁电薄膜的微结构 | 第30-33页 |
·Bi_(4-x)Ce_xTi_3O_(12)铁电薄膜的电学性能 | 第33-35页 |
·Bi_(4-x)Ce_xTi_3O_(12)铁电薄膜的疲劳性能 | 第35页 |
·本章小结 | 第35-36页 |
第四章 Bi_(3.4)Ce_(0.6)Ti_3O_(12)纳米纤维的制备与性能研究 | 第36-51页 |
·引言 | 第36页 |
·BCT 纳米纤维的制备 | 第36-41页 |
·静电纺丝技术 | 第36-37页 |
·实验原材料及设备 | 第37-38页 |
·工艺流程 | 第38-41页 |
·BCT 纳米纤维的性能研究 | 第41-50页 |
·BCT 纳米纤维的形貌和元素组分表征 | 第41-43页 |
·BCT 纳米纤维的晶体结构表征 | 第43-45页 |
·BCT 纳米纤维的居里温度 | 第45-47页 |
·BCT 纳米纤维的电学性能 | 第47-49页 |
·BCT 纳米纤维的拉曼光谱研究 | 第49-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
第五章 BCT 薄膜 FeFET 和纳米纤维 FeFET 的制备与电学性能 | 第51-61页 |
·引言 | 第51-52页 |
·BCT 薄膜 MFIS 结构 FeFET 的制备与电学性能 | 第52-56页 |
·BCT 纳米纤维/铁电薄膜背栅结构 FeFET 的制备与电学性能 | 第56-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
·论文总结 | 第61-62页 |
·工作展望 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
攻读学位期间发表论文目录 | 第71页 |