| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-27页 |
| ·太赫兹技术 | 第8-10页 |
| ·太赫兹检测 | 第10-13页 |
| ·直接检测器 | 第10-12页 |
| ·外差检测器 | 第12-13页 |
| ·二者的对比 | 第13页 |
| ·超导隧道结直接检测器 | 第13-17页 |
| ·本论文章节安排 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-27页 |
| 第二章 太赫兹直接检测器的设计 | 第27-51页 |
| ·检测器概念 | 第27-32页 |
| ·光子检测 | 第28-30页 |
| ·视频检测 | 第30-32页 |
| ·检测器设计 | 第32-36页 |
| ·对数周期天线 | 第32-36页 |
| ·阻抗变换器 | 第36页 |
| ·分布式结阵列 | 第36-39页 |
| ·前提条件 | 第37-38页 |
| ·谐振电流的简化 | 第38-39页 |
| ·分析 | 第39-47页 |
| ·分布式4结阵列 | 第39-42页 |
| ·分布式5结阵列 | 第42-44页 |
| ·分布式6结阵列 | 第44-47页 |
| ·结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 Nb/Al/AlO_x/Al/Nb结的制备和表征 | 第51-75页 |
| ·结的制备工艺 | 第51-60页 |
| ·制备流程 | 第53-54页 |
| ·工艺参数 | 第54-60页 |
| ·结的表征与改进措施 | 第60-68页 |
| ·漏电流 | 第60-61页 |
| ·薄膜应力 | 第61-62页 |
| ·薄膜表面形貌 | 第62-63页 |
| ·薄膜T_c | 第63-64页 |
| ·势垒层的质量 | 第64-67页 |
| ·绝缘层 | 第67页 |
| ·能隙与特征参数 | 第67页 |
| ·J_c | 第67-68页 |
| ·检测器的制备 | 第68-70页 |
| ·结果 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 第四章 测试系统与测试结果 | 第75-91页 |
| ·低温测试系统 | 第75-80页 |
| ·液氦杜瓦 | 第76页 |
| ·~3He恒温器 | 第76-79页 |
| ·~3He杜瓦 | 第79-80页 |
| ·准光学系统 | 第80-82页 |
| ·读出电路 | 第82-83页 |
| ·测量结果 | 第83-84页 |
| ·分析与讨论 | 第84-89页 |
| ·噪声特征 | 第84页 |
| ·半导体读出电路与超导体太赫兹检器的集成 | 第84-87页 |
| ·耦合效率优化 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第五章 总结 | 第91-93页 |
| 附录A 超导电子学基础理论 | 第93-99页 |
| A.1 超导隧道结(STJ) | 第93-95页 |
| A.2 RCSJ模型 | 第95-96页 |
| A.3 光子辅助隧穿 | 第96-99页 |
| 附录B 对数周期天线 | 第99-101页 |
| 附录C 超导微带线 | 第101-103页 |
| 发表文章 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |