| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-14页 |
| ·纳米材料简介 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的物理性能 | 第11-12页 |
| ·纳米材料生长机制讨论 | 第12-14页 |
| ·氧化镓纳米材料研究现状 | 第14-16页 |
| ·氧化镓晶体结构 | 第14-15页 |
| ·氧化镓的光电学性质及应用 | 第15-16页 |
| ·氧化镓纳米材料制备技术 | 第16页 |
| ·本文的选题依据 | 第16-18页 |
| 第二章 纳米颗粒制备过程与测试方法简介 | 第18-22页 |
| ·实验设备 | 第18-19页 |
| ·Ga_2O_3纳米颗粒的 CVD 法制备过程 | 第19-21页 |
| ·实验材料的选择与准备 | 第19-20页 |
| ·实验步骤 | 第20-21页 |
| ·Ga_2O_3纳米颗粒表征方法 | 第21-22页 |
| 第三章 CVD 法制备β-Ga_2O_3纳米颗粒、纳米棒的研究 | 第22-38页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米颗粒的制备与表征 | 第22-29页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米棒的制备与表征 | 第29-36页 |
| ·总结 | 第36-38页 |
| 第四章 不同氧化条件、催化剂浓度对制备 Ga_2O_3纳米结构影响的研究 | 第38-46页 |
| ·不同氧化温度对 Ga_2O_3纳米颗粒形貌的影响 | 第38-40页 |
| ·不同氧化时间对 Ga_2O_3纳米颗粒形貌的影响 | 第40-43页 |
| ·不同催化剂浓度对 Ga_2O_3纳米颗粒形貌的影响 | 第43-45页 |
| ·总结 | 第45-46页 |
| 第五章 掺 Sn 的 Ga_2O_3纳米结构的研究 | 第46-58页 |
| ·实验过程 | 第46页 |
| ·Sn 掺杂 Ga_2O_3纳米颗粒的表征 | 第46-52页 |
| ·不同氧化温度、时间及催化剂浓度对 Sn 掺杂 Ga_2O_3纳米结构影响的研究 | 第52-57页 |
| ·不同氧化温度对 Sn 掺杂 Ga_2O_3纳米结构影响的研究 | 第52-53页 |
| ·不同氧化时间对 Sn 掺杂 Ga_2O_3纳米结构影响的研究 | 第53-56页 |
| ·不同催化剂浓度对 Sn 掺杂 Ga_2O_3纳米结构影响的研究 | 第56-57页 |
| ·总结 | 第57-58页 |
| 第六章 全文总结 | 第58-60页 |
| ·本论文主要内容 | 第58页 |
| ·对今后工作的建议 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 发表论文 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
