| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 图表清单 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·半导体物理基础 | 第11-13页 |
| ·半导体的能带 | 第11-12页 |
| ·载流子的散射 | 第12页 |
| ·费米能级和 Burstein-Moss 效应 | 第12-13页 |
| ·TIO2薄膜的基本特性 | 第13-15页 |
| ·TiO_2薄膜的结构特性 | 第13-14页 |
| ·TiO_2薄膜的电学特性 | 第14-15页 |
| ·TiO_2薄膜的光学特性 | 第15页 |
| ·TIO_2薄膜的研究现状 | 第15-18页 |
| ·TIO_2薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| ·PLD 技术原理和物理过程 | 第18-20页 |
| ·PLD 技术的特点 | 第20-21页 |
| ·本文研究背景及内容 | 第21-22页 |
| 第二章 样品制备与性能表征实验方法 | 第22-28页 |
| ·实验材料 | 第22-24页 |
| ·靶材的制备与测试 | 第22-23页 |
| ·实验材料的预处理 | 第23-24页 |
| ·实验设备 | 第24页 |
| ·实验方案 | 第24-25页 |
| ·薄膜的结构和光电性能表征 | 第25-28页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射 (XRD) | 第26页 |
| ·紫外/可见光分光光度计 | 第26-27页 |
| ·霍尔测试系统 | 第27页 |
| ·四探针测试仪 | 第27页 |
| ·台阶仪 | 第27页 |
| ·硬度测试仪 | 第27页 |
| ·激光功率计 | 第27-28页 |
| 第三章 钽掺杂 TIO_2薄膜的光电性能研究 | 第28-37页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-35页 |
| ·退火温度对 Ta- TiO_2薄膜结构的影响 | 第28-29页 |
| ·退火温度对 Ta- TiO_2薄膜电学性质的影响 | 第29-31页 |
| ·退火温度对 Ta- TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第31-33页 |
| ·退火温度对 Ta- TiO_2薄膜光学性质的影响 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 钽掺杂 TIO2薄膜表面形貌的研究 | 第37-40页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37页 |
| ·退火温度对 TA-TIO_2薄膜表面形貌的影响 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 总结与展望 | 第40-42页 |
| ·总结 | 第40页 |
| ·展望 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第49页 |
