| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·纳米材料 | 第9页 |
| ·纳米材料的特性 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的分类 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的应用 | 第11-12页 |
| ·硅碳纳米管 | 第12-13页 |
| ·石墨烯纳米材料 | 第13-16页 |
| ·石墨烯的制备 | 第13-15页 |
| ·石墨烯的应用 | 第15-16页 |
| ·本论文的研究思路和研究内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-24页 |
| 第二章 理论基础及计算方法 | 第24-34页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第24-28页 |
| ·Thomas–Fermi 模型 | 第24-25页 |
| ·Hohenberg–Kohn 定理 | 第25-26页 |
| ·Kohn–Sham 方程 | 第26-28页 |
| ·交换关联泛函 | 第28-31页 |
| ·计算软件简介 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 外部电场改性硅碳纳米管的电子性质及对二氧化硫传感性能的密度泛函研究 | 第34-51页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·计算细节 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-46页 |
| ·完美 SiCNT 的结构 | 第36页 |
| ·SO_2在 SiCNT 上的单分子和双分子吸附 | 第36-38页 |
| ·更多 SO_2分子在（5,5）SiCNT 上的吸附 | 第38-39页 |
| ·(SO_2)_n/SiCNT(n=2–10)在不同电场下的结构 | 第39-42页 |
| ·SiCNT 和(SO_2)10/SiCNT 的电子结构 | 第42页 |
| ·电场诱导 SiCNT 感应 SO_2 | 第42-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 第四章 羟基改性石墨烯结构和性质的密度泛函研究 | 第51-63页 |
| ·前言 | 第51页 |
| ·计算方法和模型 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-57页 |
| ·单分子和双分子羟基在石墨烯上的吸附 | 第52-54页 |
| ·多分子羟基在石墨烯上的吸附 | 第54-57页 |
| ·完美石墨烯以及羟基改性石墨烯的电子性质 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-64页 |
| ·结论与创新点 | 第63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的学术论文及会议论文 | 第65页 |
