双扩展忆阻器纳米结构模型与特性研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-18页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·论文研究的目的、意义及主要研究工作 | 第9-10页 |
| ·忆阻器国外研究现状及发展趋势 | 第10-12页 |
| ·忆阻器国内研究现状及发展趋势 | 第12-14页 |
| ·应用前景 | 第14-17页 |
| ·模型分析 | 第14-15页 |
| ·生物领域研究 | 第15-16页 |
| ·存储器 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第2章 双扩展忆阻器的结构模型 、基本原理 | 第18-28页 |
| ·双扩展忆阻器的结构模型 | 第18-19页 |
| ·双扩展阻器的基本原理 | 第19-24页 |
| ·双扩展忆阻器相关理论知识 | 第24-27页 |
| ·小尺寸效应 | 第24-25页 |
| ·量子尺寸效应 | 第25-26页 |
| ·纳米材料界面合金化 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 双扩展忆阻器制作的工艺原理和工艺过程 | 第28-44页 |
| ·双扩展忆阻器制作的工艺原理 | 第28-40页 |
| ·物理气相淀积 | 第28-33页 |
| ·分子束外延 | 第33-35页 |
| ·电子束曝光 | 第35-39页 |
| ·纳米压印技术 | 第39-40页 |
| ·双扩展忆阻器制造工艺过程 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 双扩展忆阻器特性的测试、分析 | 第44-48页 |
| ·铂纳米线特性分析 | 第44页 |
| ·双扩展忆阻器特性测试结果与分析 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第57页 |
