| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-40页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·纳米材料定义与基本特性 | 第11-12页 |
| ·纳米材料的常用制备方法 | 第12-19页 |
| ·水热法简介 | 第13-15页 |
| ·电化学沉积法简介 | 第15-19页 |
| ·硫族半导体纳米材料及其应用 | 第19-21页 |
| ·硫族半导体纳米材料的制备研究 | 第21-38页 |
| ·硫化铟(In_2S_3)纳米材料制备研究进展 | 第22-30页 |
| ·In_2S_3一维结构的制备 | 第22-25页 |
| ·In_2S_3二维结构的制备 | 第25-26页 |
| ·In_2S_3三维纳米结构的制备 | 第26-28页 |
| ·In_2S_3纳米结构薄膜的制备 | 第28-30页 |
| ·硫化铅(PbS)纳米材料制备研究进展 | 第30-38页 |
| ·PbS零维量子点的制备 | 第30-32页 |
| ·PbS一维纳米结构的制备 | 第32-35页 |
| ·PbS二维纳米结构的制备 | 第35-36页 |
| ·PbS三维纳米结构的制备 | 第36-38页 |
| ·课题的提出和意义 | 第38-40页 |
| 第二章 水热法制备硫化铟多孔薄膜及其光催化性能 | 第40-55页 |
| ·实验部分 | 第40-42页 |
| ·实验材料的准备 | 第40-41页 |
| ·In_2S_3多孔薄膜和致密膜的制备 | 第41页 |
| ·测试仪器与方法 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-54页 |
| ·In_2S_3多孔薄膜的组成与微观结构 | 第42-45页 |
| ·尿素加入量对薄膜形貌的影响 | 第45-46页 |
| ·还原谷胱甘肽(GSH)加入量对In_2S_3薄膜形貌的影响 | 第46-48页 |
| ·In_2S_3薄膜形貌随反应时间变化过程 | 第48-50页 |
| ·In_2S_3多孔薄膜可能形成机理的探讨 | 第50-51页 |
| ·In_2S_3多孔薄膜的光学性质 | 第51-52页 |
| ·In_2S_3薄膜光催化降解有机染料的性能研究 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第三章 电化学沉积法调控硫化铅晶体形貌转变 | 第55-69页 |
| ·实验部分 | 第56-57页 |
| ·实验材料准备 | 第56页 |
| ·PbS晶体的电化学沉积制备方法 | 第56页 |
| ·测试仪器与分析方法 | 第56-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-68页 |
| ·PbS晶体的形貌随PbCl_2加入量的变化 | 第57-59页 |
| ·电化学沉积PbS晶体的晶体结构和组成 | 第59-62页 |
| ·PbS晶体形貌转变的机理探讨 | 第62-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 主要结论与创新点 | 第69-71页 |
| 主要结论 | 第69页 |
| 创新点 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-83页 |
| 作者简介 | 第83页 |
| 在学期间所取得的科研成果 | 第83-84页 |