| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 图表清单 | 第10-13页 |
| 注释表 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-31页 |
| ·碳元素及其异构体 | 第15-18页 |
| ·石墨烯的发现与制备 | 第18-21页 |
| ·石墨烯的结构与特性 | 第21-25页 |
| ·石墨烯掺杂的研究现状 | 第25-29页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 理论计算方法简介 | 第31-43页 |
| ·第一性原理计算 | 第31-32页 |
| ·密度泛函理论 | 第32-35页 |
| ·CASTEP 和 VASP 软件简介 | 第35-36页 |
| ·第一性原理方法在碳纳米结构中的应用—I 原子掺杂的荷电碳纳米管的电荷分布特征 | 第36-43页 |
| 第三章 二维的类石墨烷结构的碳卤素化合物的稳定性和电子结构 | 第43-53页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·模型与方法 | 第44页 |
| ·F、Cl、Br 原子吸附石墨烯的稳定结构的计算结果与讨论 | 第44-47页 |
| ·二维的类石墨烷结构的碳卤素化合物的稳定性和电子结构 | 第47-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第四章 基于金属 Pt 和半导体 SiC 基底的单边和双边掺杂少层石墨烯的电荷分布特征 | 第53-70页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·模型与方法 | 第54-56页 |
| ·基于 6H-SiC(0001)和 Pt(111)表面的单边及双边掺杂 FLG 的电荷分布特征 | 第56-66页 |
| ·基于 6H-SiC (0001)表面的单边及双边掺杂 FLG 的电荷分布特征 | 第66-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第五章 K 掺杂的二维石墨烯/六方氮化硼联合层状体系的电荷分布特征 | 第70-78页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·模型与方法 | 第71-72页 |
| ·计算结果与讨论 | 第72-77页 |
| ·小结 | 第77-78页 |
| 第六章 总结和展望 | 第78-81页 |
| ·总结 | 第78-79页 |
| ·展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第94页 |
