2.45GHz CMOS低噪声放大器设计与仿真

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第1章 绪论	第8-15页
·课题背景	第8-9页
·系统分析	第9-13页
·“微型核”信息电子系统	第9-10页
·射频前端结构	第10-13页
·CMOS低噪声放大器研究进展	第13-14页
·本论文主要研究内容	第14-15页
第2章 RF CMOS工艺中的器件特性	第15-28页
·深亚微米MOSFET射频特性	第15-21页
·速度	第15-17页
·噪声	第17-21页
·CMOS工艺中的电容	第21-23页
·CMOS工艺中的电感	第23-27页
·本章小结	第27-28页
第3章 低噪声放大器设计优化方法	第28-50页
·MOSFET双端口网络噪声参数推导	第28-33页
·低噪声放大器拓扑结构	第33-43页
·共源低噪声放大器(CSLNA)	第33-39页
·共栅低噪声放大器(CGLNA)	第39-42页
·两种拓扑结构低噪声放大器性能比较	第42-43页
·低噪声放大器设计优化方法	第43-49页
·CNM技术	第44页
·SNIM技术	第44-45页
·功耗约束下噪声优化技术	第45页
·PCSNIM技术	第45-49页
·本章小结	第49-50页
第4章 具有非平衡变换功能的低噪声放大器设计	第50-65页
·设计指标	第50-51页
·单端低噪声放大器设计	第51-55页
·有源差分Balun设计	第55-59页
·具有非平衡变换功能的低噪声放大器设计	第59-62页
·版图设计	第62-63页
·本章小结	第63-65页
结论	第65-66页
参考文献	第66-70页
攻读学位期间发表的学术论文	第70-72页
致谢	第72页