| 第一章： 绪论 | 第1-17页 |
| 1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．2 ZnO的结构特性 | 第8-9页 |
| 1．3 ZnO的研究概况 | 第9-12页 |
| 1．4 ZnO的主要生长方法 | 第12-17页 |
| 第二章： ZnO的反应磁控溅射法制备及特性研究 | 第17-30页 |
| 2．1 概述 | 第17-18页 |
| 2．2 反应磁控溅射法基本原理 | 第18-19页 |
| 2．3 反应磁控溅射法的特点 | 第19页 |
| 2．4 影响溅射的主要因素 | 第19-20页 |
| 2．5 ZnO的反应磁控溅射制备过程 | 第20-21页 |
| 2．6 ZnO的反应磁控溅射制备工艺 | 第21-30页 |
| 第三章： ZnO的P型掺杂理论 | 第30-45页 |
| 3．1 引言 | 第30-31页 |
| 3．2 影响有效P型掺杂的因素 | 第31-37页 |
| 3．3 有效P型掺杂的条件 | 第37页 |
| 3．4 实现P型掺杂的方法 | 第37-45页 |
| 第四章： 激光分子束外延（L-MBE）生长技术概述 | 第45-54页 |
| 4．1 L-MBE设备原理 | 第45-46页 |
| 4．2 ZnO的L-MBE生长过程 | 第46-48页 |
| 4．3 L-MBE系统构成 | 第48-49页 |
| 4．4 反射式高能电子衍射（RHEED） | 第49-51页 |
| 4．5 ZnO靶材制备工艺 | 第51-54页 |
| 第五章： 总结与建议 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |