| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·太阳电池的发展历史及研究现状 | 第8-11页 |
| ·微晶硅薄膜太阳电池的研究进展 | 第11-13页 |
| ·几种常用的硅基薄膜太阳电池窗口材料 | 第13-18页 |
| ·p型a-SiC:H薄膜 | 第13-15页 |
| ·p型μc-SiC:H薄膜 | 第15-16页 |
| ·p型μc-Si:H薄膜 | 第16-17页 |
| ·p型a-SiO:H薄膜 | 第17-18页 |
| ·开题思想及本学位论文的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 微晶硅薄膜的生长和掺杂机理 | 第20-26页 |
| ·PECVD沉积μc-Si:H薄膜的主要过程 | 第20-22页 |
| ·μc-Si:H薄膜生长模型简述 | 第22-24页 |
| ·μc-Si:H薄膜的硼掺杂机理 | 第24-26页 |
| 第三章 硼烷掺杂比对p型μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响 | 第26-37页 |
| ·硼烷掺杂比对薄膜微结构的影响 | 第27-33页 |
| ·硼烷掺杂比对薄膜电学性能的影响 | 第33页 |
| ·硼烷掺杂比对薄膜光学性能的影响 | 第33-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 衬底温度对p型μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响 | 第37-45页 |
| ·衬底温度对薄膜微结构的影响 | 第38-42页 |
| ·衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第42-43页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第五章 辉光功率对p型μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响 | 第45-52页 |
| ·辉光功率对薄膜微结构的影响 | 第45-49页 |
| ·辉光功率对薄膜光电性能的影响 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第六章 沉积气压对p型μc-Si:H薄膜微结构和电学性能的影响 | 第52-58页 |
| ·沉积气压对薄膜微结构的影响 | 第52-56页 |
| ·沉积气压对薄膜电学性能的影响 | 第56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第七章 p型μc-Si:H薄膜在太阳电池中的应用 | 第58-62页 |
| ·沉积时间和衬底类型对p型μc-Si:H薄膜微结构的影响 | 第58-60页 |
| ·p型μc-Si:H薄膜在太阳电池中的应用 | 第60-62页 |
| 第八章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-74页 |
| 硕士期间发表论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
