用量子阱混合技术提高大功率半导体激光器腔面的COD阈值
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| §1-1 半导体激光器发展及应用 | 第7-8页 |
| §1-2 大功率半导体激光器的研究进展 | 第8-9页 |
| §1-3 量子阱混合技术的发展及应用 | 第9-10页 |
| §1-4 课题研究的主要任务 | 第10-11页 |
| 第二章 COD及量子阱混合的基本原理 | 第11-23页 |
| §2-1 COD的机制 | 第11-13页 |
| §2-2 量子阱混合的基本原理 | 第13-17页 |
| 2-2-1 组分互扩散的模型 | 第13-15页 |
| 2-2-2 求解量子阱混合后的薛定谔方程 | 第15-17页 |
| §2-3 诱导量子阱混合的方法 | 第17-23页 |
| 2-3-1 杂质诱导量子阱混合 | 第17-19页 |
| 2-3-2 离子注入诱导量子阱混合 | 第19-20页 |
| 2-3-3 无杂质空位诱导混合 | 第20-23页 |
| 第三章 点缺陷 | 第23-32页 |
| §3-1 点缺陷及其对组分互扩散的作用 | 第23-24页 |
| §3-2 温度和As压对组分互扩散的影响 | 第24-26页 |
| §3-3 费米能级效应 | 第26-30页 |
| 3-3-1 电离点缺陷的热平衡浓度 | 第26-29页 |
| 3-3-2 电离点缺陷对组分自扩散的贡献 | 第29-30页 |
| §3-4 Si和Zn在GaAs中的扩散系数 | 第30-32页 |
| 第四章 实验及结果分析 | 第32-47页 |
| §4-1 杂质扩散与注入实验 | 第32-37页 |
| §4-2 无杂质空位诱导量子阱混合实验 | 第37-43页 |
| 4-2-1 不同介质盖层在IFVD中的作用 | 第37-38页 |
| 4-2-2 介质淀积条件对IFVD的影响 | 第38-40页 |
| 4-2-3 材料掺杂浓度对IFVD的影响 | 第40-41页 |
| 4-2-4 材料表面特性对IFVD的影响 | 第41-43页 |
| §4-3 工艺流程及器件结果 | 第43-47页 |
| 第五章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
