| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-13页 |
| 第1章 综述 | 第13-40页 |
| ·纳米薄膜材料 | 第13页 |
| ·纳米薄膜的研究进展 | 第13-16页 |
| ·发展历史 | 第13-14页 |
| ·纳米薄膜的特性 | 第14-16页 |
| ·硅基发光材料 | 第16-24页 |
| ·硅在微电子技术中的重要作用 | 第16-17页 |
| ·硅基发光材料种类和器件 | 第17-24页 |
| ·纳米硅发光理论研究 | 第24-27页 |
| ·纳米硅薄膜发光机理的探索 | 第24-25页 |
| ·纳米硅的发光机理 | 第25-27页 |
| ·硅纳米薄膜的主要制备方法 | 第27-32页 |
| ·离子注入法 | 第28页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第28-29页 |
| ·自组织生长 | 第29-30页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第30-31页 |
| ·非晶晶化法 | 第31-32页 |
| ·脉冲激光沉积法和垂直脉冲激光沉积法在薄膜制备中的应用 | 第32-37页 |
| ·脉冲激光沉积法的原理及特点 | 第32-36页 |
| ·垂直脉冲激光沉积法简介 | 第36-37页 |
| ·纳米硅的微结构特征研究 | 第37-39页 |
| ·研究目的和意义 | 第39页 |
| ·课题来源 | 第39-40页 |
| 第2章 实验部分 | 第40-46页 |
| ·主要仪器和试剂 | 第40-41页 |
| ·主要仪器 | 第40-41页 |
| ·主要试剂 | 第41页 |
| ·VPLD在玻璃表面上制备硅纳米晶薄膜的方法及实验装置 | 第41-43页 |
| ·YAG激光打标机的构成 | 第41-42页 |
| ·样品的预处理与实验方法 | 第42-43页 |
| ·将玻璃表面的硅薄膜转移的实验方法 | 第43页 |
| ·薄膜的退火方法与装置 | 第43-44页 |
| ·膜及硅靶材的物理性能测试 | 第44-45页 |
| ·X射线衍射谱图的测试 | 第44-45页 |
| ·扫描电子显微镜的测试 | 第45页 |
| ·透射电子显微镜的测试 | 第45页 |
| ·荧光光谱分析 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 结果与讨论 | 第46-68页 |
| ·用垂直脉冲激光沉积技术在玻璃基底上制备硅纳米晶薄膜 | 第46-56页 |
| ·硅纳米晶薄膜生长机制 | 第46-48页 |
| ·玻璃基底上硅薄膜的表征 | 第48-54页 |
| ·玻璃基底上硅薄膜的XRD分析 | 第54-55页 |
| ·硅纳米晶薄膜的光致发光分析 | 第55-56页 |
| ·脉冲激光刻蚀硅靶的研究 | 第56-60页 |
| ·不同能量脉冲激光对硅靶刻蚀的影响 | 第56-58页 |
| ·硅靶上纳米晶的XRD分析 | 第58-59页 |
| ·硅靶上纳米晶的荧光光谱 | 第59-60页 |
| ·垂直脉冲激光转移技术在硅基底上制备硅纳米晶薄膜的研究 | 第60-67页 |
| ·激光能量对硅基底上硅纳米晶薄膜形态的影响 | 第60-64页 |
| ·硅基底上硅纳米晶薄膜的光致发光 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 独创性声明 | 第78页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第78页 |
