| 第一章 前言 | 第1-43页 |
| ·光生电荷性质的研究 | 第11-28页 |
| ·化学太阳能电池中的光生电荷性质研究 | 第11-21页 |
| ·染料敏化太阳能电池中的光生电荷性质研究 | 第12-18页 |
| ·量子点太阳能电池(Quantum Dot Solar Cell)中的光生电荷性质研究 | 第18-21页 |
| ·有机分子半导体中的光生电荷性质研究 | 第21-28页 |
| ·有机半导体中光生电荷产生的基本过程 | 第22-23页 |
| ·有机半导体中光生电荷产生机理 | 第23-27页 |
| ·光生半导体在有机半导体中的传输机理 | 第27-28页 |
| ·光生电荷性质的研究方法 | 第28-34页 |
| ·光谱电化学法 | 第28页 |
| ·光电导(光电流)方法 | 第28-29页 |
| ·表面光电压技术 | 第29-30页 |
| ·微区扫描技术 | 第30-34页 |
| ·扫描Kelvin 探针技术 | 第30-32页 |
| ·Kelvin 探针力显微镜(Kelvin Probe Force Microscopy) | 第32-34页 |
| ·近场扫描光学显微镜(Near-field Scanning Optical Microscope,NSOM) | 第34页 |
| ·本文立题思想及主要内容 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-43页 |
| 第二章 表面光伏的原理及瞬态表面光伏测试系统的建立 | 第43-59页 |
| ·瞬态表面光伏测试系统建立的意义 | 第43页 |
| ·基本概念及原理 | 第43-51页 |
| ·表面光伏的产生 | 第43-47页 |
| ·Dember 光伏与扩散光伏 | 第47-48页 |
| ·光伏与入射光强的关系 | 第48-51页 |
| ·瞬态光电压的发展及实验方法 | 第51-57页 |
| ·瞬态光伏研究进展 | 第51-52页 |
| ·瞬态表面光伏实验方法的选择 | 第52-53页 |
| ·瞬态表面光伏实验装置 | 第53-55页 |
| ·瞬态表面光伏测试系统等效电路 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 纳米TiO_2薄膜及表面修饰的纳米TiO_2薄膜的光电性质研究 | 第59-76页 |
| ·纳米TiO_2薄膜电极中光生电荷传输机理研究 | 第59-66页 |
| ·实验部分 | 第59-60页 |
| ·TiO_2 合成和TiO_2 薄膜电极制备 | 第59-60页 |
| ·样品测试 | 第60页 |
| ·纳米TiO_2 薄膜电极的XRD 和SEM 表征 | 第60-61页 |
| ·纳米TiO_2 薄膜电极的瞬态表面光伏研究 | 第61-66页 |
| ·小结 | 第66页 |
| ·表面修饰联吡啶钌(N3)的纳米TiO_2薄膜电极的光电性质研究 | 第66-73页 |
| ·实验部分 | 第67页 |
| ·N3 染料敏化的TiO_2 薄膜的表面光电压谱研究与表面电势研究 | 第67-70页 |
| ·N3 染料敏化的TiO_2 薄膜的瞬态光伏研究 | 第70-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| ·本章结论 | 第73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 不同晶面的TiO_2 单晶的光电性质研究 | 第76-88页 |
| ·TiO_2单晶表面性质及各晶面结构 | 第76-79页 |
| ·三种晶面的TiO_2单晶的吸收谱和光照前后CPD 研究 | 第79-83页 |
| ·三种晶面的TiO_2单晶的瞬态表面光伏研究 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第五章 利用瞬态表面光伏技术对ZnS:Cu~(2+)的光生电荷性质研究 | 第88-97页 |
| ·实验方法 | 第89-90页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第89-90页 |
| ·ZnS:Cu~(2+)纳米晶的合成 | 第90页 |
| ·ZnS:Cu~(2+)纳米晶的结构表征 | 第90-92页 |
| ·ZnS:Cu~(2+)纳米晶的光电压研究 | 第92-96页 |
| ·本章结论 | 第96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| 第六章 有机半导体材料的光电性质研究 | 第97-122页 |
| ·CuPc 与CuPcF_(16)的光电性质研究 | 第97-106页 |
| ·实验方法 | 第98页 |
| ·CuPc 与CuPcF_(16) 的吸收谱及表面光电压谱研究 | 第98-100页 |
| ·CuPc 与CuPcF_(16) 瞬态光伏研究 | 第100-106页 |
| ·小结 | 第106页 |
| ·双甲基亚胺苝(Me-PTCDI)薄膜的光电性质研究 | 第106-118页 |
| ·实验部分 | 第107-108页 |
| ·双甲基亚胺苝薄膜的吸收谱和表面光电压谱研究 | 第108-111页 |
| ·双甲基亚胺苝薄膜的瞬态光电压研究 | 第111-116页 |
| ·双甲基亚胺苝薄膜能带结构的建立 | 第116-118页 |
| ·小结 | 第118页 |
| ·本章总结 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-122页 |
| 第七章 GaN 及GaN/AlGaN 异质结构的表面、界面与相关光电性质的研究 | 第122-140页 |
| ·n-GaN 的光电性质的研究 | 第122-128页 |
| ·实验方法 | 第123页 |
| ·n-GaN 的吸收光谱和表面光电压谱 | 第123-126页 |
| ·n-GaN 瞬态伏 | 第126-128页 |
| ·n-Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN 异质结构的界面和相关光电性质研究 | 第128-136页 |
| ·实验部分 | 第128页 |
| ·n-Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN 异质结构的 Uv-Vis 吸收谱和表面光电压谱研究 | 第128-131页 |
| ·n-Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN 异质结构的瞬态光伏研究 | 第131-136页 |
| ·本章结论 | 第136-137页 |
| 参考文献 | 第137-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 作者简历 | 第141-145页 |
| 中文摘要 | 第145-148页 |
| 英文摘要 | 第148-151页 |
