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密度泛函理论研究电子材料能带结构与性质

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-10页
第一章 绪论第10-15页
   ·第一性原理计算的重要意义第10-11页
   ·本文的研究背景和主要内容第11-14页
 参考文献第14-15页
第二章 密度泛函理论与全势能线性缀加平面波法简介第15-32页
   ·密度泛函理论第15-19页
     ·绝热近似,电子运动和原子核运动分离第15-16页
     ·Hohenberg-Kohn 定理和Kohn-Sham 方程第16-19页
   ·局域(自旋)密度近似及修正第19-24页
     ·广义梯度近似(GGA)第21页
     ·自互相作用修正(SIC)第21-22页
     ·在位库仑作用修正(+U)第22-24页
   ·线性缀加平面波法(LAPW)第24-30页
     ·LAPW 方法的发展第24-27页
     ·FPLAPW 计算程序简介第27-29页
     ·FPLAPW 方法的应用简介第29-30页
 参考文献第30-32页
第三章 新型超导材料MgCNi_3的第一性原理研究第32-52页
   ·引言第32-34页
   ·计算方法和模型第34页
   ·计算结果与讨论第34-49页
     ·MgCNi_3几何结构优化和光学性质第34-41页
     ·晶体Ni, 虚晶MgNi_3, CNi_3以及 MgCNi_3的比较研究第41-43页
     ·替代式掺杂MgCNi_3第43-46页
     ·虚晶掺杂MgCNi_3第46-49页
   ·本章小结第49-50页
 参考文献第50-52页
第四章 Gd_2Co_2Al 电子结构和磁性的第一性原理研究第52-64页
   ·引言第52-53页
   ·晶体结构及计算细节第53-54页
   ·几何结构优化第54页
   ·LSDA 近似下的计算结果第54-57页
   ·LSDA+U 修正的结果第57-60页
   ·体系的居里温度第60-62页
   ·本章小结第62-63页
 参考文献第63-64页
结语第64-66页
致谢第66-67页
硕士期间发表和待发表论文第67页

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