| 第一章 前言 | 第1-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-31页 |
| 2．1 引言 | 第11-12页 |
| 2．2 直拉硅中的氧 | 第12-19页 |
| 2．2．1 氧的基本性质 | 第12-15页 |
| 2．2．2 氧沉淀 | 第15-16页 |
| 2．2．3 氧沉淀形成的热动力学过程 | 第16-18页 |
| 2．2．4 层错位错的生成 | 第18-19页 |
| 2．3 掺硼单晶硅 | 第19-24页 |
| 2．3．1 直拉重掺B硅单晶的性质 | 第20-21页 |
| 2．3．2 重掺硼硅单晶中的氧 | 第21-22页 |
| 2．3．3 重掺硼硅单晶中的氧沉淀 | 第22-24页 |
| 2．4 常规热处理对硅单晶的影响 | 第24-26页 |
| 2．4．1 低温退火 | 第24页 |
| 2．4．2 中温退火 | 第24-26页 |
| 2．5 RTP技术与氧沉淀 | 第26-31页 |
| 2．5．1 RTP下单晶硅的作用机制 | 第28-29页 |
| 2．5．2 RTP与普通退火的比较 | 第29-31页 |
| 第三章 实验设备与样品准备 | 第31-37页 |
| 3．1 生长设备 | 第31页 |
| 3．1．1 HAMCO CG-3000单晶炉 | 第31页 |
| 3．2 退火设备 | 第31-33页 |
| 3．2．1 常规退火炉 | 第31-32页 |
| 3．2．2 快速热处理炉 | 第32-33页 |
| 3．3 测试设备 | 第33-35页 |
| 3．3．1 傅立叶红外干涉仪 | 第33-34页 |
| 3．3．2 金相显微镜 | 第34-35页 |
| 3．4 样品的清洗和腐蚀技术 | 第35-37页 |
| 第四章 不同温度的快速热处理对大直径直拉硅片氧沉淀的影响 | 第37-43页 |
| 4．1 引言 | 第37-38页 |
| 4．2 实验 | 第38页 |
| 4．3 结果及讨论 | 第38-42页 |
| 4．3．1 两步退火(800℃/64h+ 1050℃/16h)过程中间隙氧生成量随热处理时间的变化 | 第39页 |
| 4．3．2 单步退火(1050℃/64h)过程中间隙氧生成量随热处理时间的变化 | 第39-40页 |
| 4．3．3 结果与讨论 | 第40-42页 |
| 4．4 结论 | 第42-43页 |
| 第五章 快速热处理对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响 | 第43-54页 |
| 5．1 引言 | 第43页 |
| 5．2 实验 | 第43-44页 |
| 5．3 结果和讨论 | 第44-53页 |
| 5．4 结论 | 第53-54页 |
| 第六章 高温热处理对大直径直拉硅中氧沉淀的影响 | 第54-69页 |
| 6．1 引言 | 第54页 |
| 6．2 实验 | 第54-56页 |
| 6．3 结果与讨论 | 第56-67页 |
| 6．3．1 650℃/4h + 1050℃/16h(1250℃/2h快冷) | 第56-59页 |
| 6．3．2 800℃/4h + 1050℃/16h(1250℃/2h快冷) | 第59-62页 |
| 6．3．4 650℃/4h + 1050℃/16h(1250℃/2h降温至800℃冷却) | 第62-65页 |
| 6．3．5 800℃/4h + 1050℃/16h(1250℃/2h降温至800℃冷却) | 第65-67页 |
| 6．4 结论 | 第67-69页 |
| 第七章 高温热处理对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响 | 第69-73页 |
| 7．1 引言 | 第69页 |
| 7．2 实验 | 第69-70页 |
| 7．3 结果和讨论 | 第70-72页 |
| 7．4 结论 | 第72-73页 |
| 第八章 总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
