| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·自旋电子学简介 | 第10-14页 |
| ·巨磁电阻效应 | 第10-12页 |
| ·隧穿磁电阻效应 | 第12-13页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第13页 |
| ·有机自旋电子学 | 第13-14页 |
| ·隧道结中隧穿磁电阻的理论研究 | 第14-28页 |
| ·自旋电子学的理论研究和计算方法 | 第14-24页 |
| ·Julliere 模型 | 第14-15页 |
| ·Slonczewski 模型 | 第15-18页 |
| ·转移哈密顿方法 | 第18-20页 |
| ·针对任意形状势垒的计算方法 | 第20-24页 |
| ·有机自旋电子学的理论和实验研究 | 第24-28页 |
| ·有机自旋电子学的实验研究进展 | 第24-25页 |
| ·扩散理论 | 第25-26页 |
| ·量子力学理论 | 第26-28页 |
| 第二章 铁磁金属/磁性半导体/铁磁金属三明治结构的自旋极化电子输运特性研究 | 第28-37页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·理论模型和公式计算 | 第29-32页 |
| ·计算结果及讨论 | 第32-36页 |
| ·在不同磁矩相对夹角下自旋轨道耦合强度kR对隧穿几率T(θ)和TMR值的影响 | 第32-34页 |
| ·FS 层厚度和隧穿几率T(θ)以及 TMR 值的关系 | 第34-35页 |
| ·FS 层厚度和隧穿几率T(θ)以及 TMR 值的关系 | 第35-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 第三章 铁磁/有机半导体/铁磁三层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·理论模型于公式计算 | 第38-41页 |
| ·计算结果及讨论 | 第41-46页 |
| ·不同的过滤因子 β 下,铁磁/有机半导体/铁磁三层膜结构的 TMR 随偏压的变化关系 | 第41-43页 |
| ·不同的势垒 U,铁磁/有机半导体/铁磁三层膜结构的 TMR 随偏压的变化关系 | 第43-44页 |
| ·铁磁/有机半导体/铁磁三层膜结构的 TMR 随温度的变化关系 | 第44-45页 |
| ·不同的过滤因子β下,隧穿磁电阻 TMR 随有机半导体厚度 d 的变化关系 | 第45-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第四章 铁磁/绝缘体/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究 | 第47-59页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·理论模型与公式计算 | 第48-52页 |
| ·计算结果及讨论 | 第52-58页 |
| ·不同温度下偏压对TMR 影响 | 第53-54页 |
| ·零温时不同偏压下，TMR 与绝缘层厚度d1(有机半导体层厚度d2)的变化关系 | 第54-56页 |
| ·零温时在不同过滤因子下,TMR 与 OSM | 第56-58页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 在校期间的科研成果 | 第70页 |
