| 第一章 半导体存储器及其发展 | 第1-26页 |
| ·半导体存储器的发展 | 第15-16页 |
| ·半导体存储器件的分类 | 第16-17页 |
| ·几种常见的半导体存储器件 | 第17-24页 |
| ·挥发性存储器 | 第17-20页 |
| ·动态随机存取存储器 | 第17-19页 |
| ·静态随机存取存储器 | 第19-20页 |
| ·非挥发性存储器 | 第20-24页 |
| ·掩模式只读存储器 | 第20-21页 |
| ·可一次编程ROM | 第21页 |
| ·极紫外线光可擦除电可编程ROM | 第21-22页 |
| ·电可擦除可编程ROM | 第22-24页 |
| ·Flash E~2PROM | 第24页 |
| ·小结 | 第24-26页 |
| 第二章 快闪式存储器的架构类型和结构组成 | 第26-37页 |
| ·快闪式存储器特点及发展趋势 | 第26-27页 |
| ·快闪式存储器的特点及应用 | 第26页 |
| ·快闪式存储器的现状及发展趋势 | 第26-27页 |
| ·快闪式存储器的架构 | 第27-31页 |
| ·NOR型架构 | 第27-28页 |
| ·NAND型架构 | 第28-29页 |
| ·DiNOR型架构 | 第29-30页 |
| ·AND型架构 | 第30-31页 |
| ·NOR型与NAND型存储单元的读、编程及擦除操作 | 第31-34页 |
| ·NOR型架构存储单元的读、编程及擦除操作 | 第31-32页 |
| ·NAND型架构存储单元的读、编程及擦除操作 | 第32-34页 |
| ·Flash Memory的组成结构 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 第三章 快闪式存储器中的灵敏放大器 | 第37-58页 |
| ·SRAM、DRAM中的灵敏放大器 | 第37-39页 |
| ·SRAM的灵敏放大器 | 第37页 |
| ·DRAM的灵敏放大器 | 第37-39页 |
| ·Flash Memory中灵敏放大器工作原理 | 第39-42页 |
| ·可自控预充电的灵敏放大器 | 第42-45页 |
| ·自控预充电电路 | 第42-44页 |
| ·参考电路的选择和设计 | 第44页 |
| ·电压比较器 | 第44-45页 |
| ·时序问题 | 第45页 |
| ·Flash Memory的数据读取过程 | 第45-57页 |
| ·地址检测信号产生电路 | 第46-49页 |
| ·控制信号时序产生电路 | 第49-54页 |
| ·脉冲触发电路 | 第49-51页 |
| ·时电路 | 第51-52页 |
| ·具体的时序电路 | 第52-54页 |
| ·灵敏放大器 | 第54页 |
| ·输出电路 | 第54-55页 |
| ·仿真结果 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第四章 一种用于Flash Memory的全新灵敏放大器的设计 | 第58-68页 |
| ·全新灵敏放大器的设计 | 第58-60页 |
| ·预充电电路 | 第58-59页 |
| ·参考电路的设计 | 第59-60页 |
| ·电压比较器的设计 | 第60页 |
| ·采用新型灵敏放大器的读操作电路 | 第60-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 结束语 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 附录 | 第71-74页 |