| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 半导体泵浦的Nd~(3+):GdVO_4固体激光器 | 第11页 |
| 第一章 半导体泵浦的Nd~(3+):GdVO_4固体激光器 | 第11-22页 |
| ·半导体泵浦的固体激光器简介 | 第11-12页 |
| ·调Q锁模的理论介绍 | 第12-15页 |
| ·调Q | 第13页 |
| ·锁模 | 第13-14页 |
| ·调Q锁模 | 第14-15页 |
| ·Nd~(3+):GdVO_4晶体介绍 | 第15-18页 |
| ·激光晶体介绍 | 第15-16页 |
| ·Nd~(3+):GdVO_4晶体的生长方式 | 第16-17页 |
| ·Nd:GdVO_4晶体的特性 | 第17-18页 |
| ·本章总结: | 第18-20页 |
| 参考文献: | 第20-22页 |
| 第二章 用Cr~(4+):YAG调Q，锁模的Nd:GdVO_4激光器 | 第22-35页 |
| ·Cr~(4+):YAG介绍 | 第22-24页 |
| ·能级结构 | 第22-23页 |
| ·基态和激发态吸收截面 | 第23页 |
| ·用Cr~(4+):YAG调Q锁模 | 第23-24页 |
| ·Cr~(4+):YAG调Q锁模的Nd:GdVO_4激光器 | 第24-28页 |
| ·实现调Q锁模的理论分析 | 第24-26页 |
| ·关于激光器的计算 | 第26-28页 |
| ·激光器介绍 | 第28页 |
| ·实验结果及分析 | 第28-33页 |
| ·平均输出功率与泵浦功率的关系 | 第28-30页 |
| ·输出脉冲的波形 | 第30页 |
| ·Cr~(4+):YAG的小信号透过率对调制深度的影响 | 第30-31页 |
| ·调Q包络的重复频率 | 第31-32页 |
| ·不同透过率的Cr~(4+):YAG的输出功率的关系 | 第32-33页 |
| ·本章总结 | 第33-35页 |
| 第三章 用SESAM调Q锁模、连续锁模的Nd:GdVO_4激光器 | 第35-49页 |
| ·SESAM介绍 | 第35-39页 |
| ·SESAM的结构 | 第35-36页 |
| ·SESAM工作原理 | 第36-37页 |
| ·SESAM的优点及应用 | 第37-38页 |
| ·SESAM关键参数介绍 | 第38-39页 |
| ·用SESAM锁模的Nd:GdVO_4激光器介绍 | 第39-41页 |
| ·实验中采用的SESAM介绍 | 第39-40页 |
| ·激光器设计 | 第40-41页 |
| ·激光器介绍 | 第41页 |
| ·实验结果及分析 | 第41-46页 |
| ·平均输出功率与泵浦功率的关系 | 第41-42页 |
| ·输出脉冲与泵浦光的关系 | 第42-43页 |
| ·调Q锁模脉冲与泵浦光的关系 | 第43页 |
| ·调Q锁模到连续锁模的转变的讨论 | 第43-44页 |
| ·时间带宽特性 | 第44-46页 |
| ·用SESAM锁模与用Cr~(4+):YAG锁模的对比 | 第46页 |
| ·本章总结 | 第46-49页 |
| 第四章 自锁模的Nd:GdVO_4激光器 | 第49-60页 |
| ·自锁模激光器的介绍 | 第49-53页 |
| ·自锁模的理论介绍 | 第50页 |
| ·自锁模激光器的设计 | 第50-53页 |
| ·实验装置介绍 | 第53-54页 |
| ·实验结果及分析 | 第54-57页 |
| ·平均输出功率 | 第54-55页 |
| ·自锁模脉冲 | 第55-56页 |
| ·功率谱 | 第56-57页 |
| ·本章总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 硕士期间发表的文章: | 第62页 |
