| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-11页 |
| 1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．2 课题背景及意义 | 第8-10页 |
| 1．3 论文研究主要内容 | 第10-11页 |
| 第2章 GaAs MMIC组成与结构 | 第11-25页 |
| 2．1 GaAs材料性质简介 | 第11-12页 |
| 2．2 GaAs MESFET及其可靠性研究进展 | 第12-15页 |
| 2．3 MMIC中常用无源元件 | 第15-22页 |
| 2．3．1 平面电阻 | 第16-18页 |
| 2．3．2 平面电容 | 第18-19页 |
| 2．3．3 平面电感 | 第19-20页 |
| 2．3．4 传输线 | 第20页 |
| 2．3．5 空气桥和通路孔 | 第20-22页 |
| 2．4 GaAs MMIC可靠性研究进展 | 第22-25页 |
| 第3章 GaAs MMIC和MESFE失效敏感参数和失效激活能的快速提取技术 | 第25-44页 |
| 3．1 失效敏感参数和失效激活能的快速提取 | 第25-33页 |
| 3．1．1 恒定电应力温度斜坡法 | 第26-28页 |
| 3．1．2 焦耳热自升温的测量 | 第28-33页 |
| 3．1．3 本方法的特点 | 第33页 |
| 3．2 失效标准的设定和敏感参数的选取 | 第33-35页 |
| 3．3 实验应力的选取 | 第35-36页 |
| 3．4 测试时间间隔的选取 | 第36-37页 |
| 3．5 热分布的测定及其对实验结果的影响 | 第37页 |
| 3．6 实验样品与实验系统 | 第37-44页 |
| 3．6．1 实验样品 | 第38-41页 |
| 3．6．2 实验系统 | 第41-44页 |
| 第4章 GaAs MMIC和GaAs MESFE失效分析以及数据点的选取 | 第44-69页 |
| 4．1 GaAs MESFET的主要失效模式 | 第44-51页 |
| 4．1．1 金属界面导致的失效 | 第45-48页 |
| 4．1．2 应力导致的失效 | 第48-51页 |
| 4．1．3 机械应力导致的失效 | 第51页 |
| 4．1．4 环境因素导致的失效 | 第51页 |
| 4．2 GaAs MESFET的失效分析 | 第51-57页 |
| 4．3 GaAs MMIC的主要失效模式 | 第57-60页 |
| 4．3．1 电阻 | 第58页 |
| 4．3．2 电容 | 第58-59页 |
| 4．3．3 电感 | 第59页 |
| 4．2．4 传输线 | 第59页 |
| 4．2．5 通孔 | 第59页 |
| 4．2．6 空气桥 | 第59页 |
| 4．2．7 封装效应 | 第59-60页 |
| 4．4 GaAs MMIC的失效分析 | 第60-68页 |
| 4．4．1 行波放大器MMIC X011的失效分析 | 第60-66页 |
| 4．4．2 大功率MMIC X008失效分析 | 第66-68页 |
| 4．4 数据点的选取 | 第68-69页 |
| 第5章 快速评价技术及外推寿命的初步研究 | 第69-78页 |
| 5．1 常规可靠性寿命加速试验方法简介及局限性 | 第69-71页 |
| 5．2 基于Arrhenius方程的温度斜坡法 | 第71-72页 |
| 5．3 基于Arrhenius方程的温度斜坡法的改进 | 第72-78页 |
| 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
