| 中文摘要 | 第1-9页 |
| 英文摘要 | 第9-11页 |
| 第一章 绪言 | 第11-14页 |
| 1．1 研究背景 | 第11页 |
| 1．2 目前CdS纳米粒子研究中存在的一些问题 | 第11-12页 |
| 1．3 本课题的研究思路 | 第12页 |
| 1．4 本课题的研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-37页 |
| 2．1 前言 | 第14页 |
| 2．2 半导体纳米材料的特性 | 第14-16页 |
| 2．2．1 小尺寸效应 | 第14页 |
| 2．2．2 表面与界面效应 | 第14-15页 |
| 2．2．3 量子尺寸效应 | 第15-16页 |
| 2．2．4 宏观量子隧道效应 | 第16页 |
| 2．3 纳米半导体粒子/有机复合材料的研究进展 | 第16-30页 |
| 2．3．1 半导体纳米粒子/聚合物复合材料的制备 | 第17-27页 |
| 2．3．2 利用胶体化学方法制备半导体纳米粒子/有机复合材料 | 第27-30页 |
| 2．3．3 其它方法 | 第30页 |
| 2．4 CdS纳米线的研究进展 | 第30-32页 |
| 2．4．1 简介 | 第30-31页 |
| 2．4．2 电化学制备CdS纳米线 | 第31页 |
| 2．4．3 溶剂热法制备CdS纳米线 | 第31-32页 |
| 2．4．4 其它制备CdS纳米线的方法 | 第32页 |
| 2．5 CdS纳米材料的性能及应用 | 第32-35页 |
| 2．5．1 催化材料 | 第33页 |
| 2．5．2 光学材料 | 第33-34页 |
| 2．5．3 光电材料 | 第34-35页 |
| 2．6 研究展望 | 第35-37页 |
| 第三章 实验方法、样品制备及测试方法、技术 | 第37-44页 |
| 3．1 实验方法 | 第37-38页 |
| 3．1．1 利用有机物络合方法对CdS纳米粒子表面进行修饰 | 第37页 |
| 3．1．2 利用溶剂热方法合成取向生长的CdS纳米线 | 第37-38页 |
| 3．2 样品制备 | 第38-41页 |
| 3．2．1 硫脲修饰CdS纳米粒子在PVP乙醇水溶液中的制备 | 第38-39页 |
| 3．2．2 聚丙烯酸-丙烯酸羟丙酯/CdS纳米粒子复合材料的制备 | 第39-40页 |
| 3．2．3 采用溶剂热方法使用不同比例的溶剂合成CdS纳米晶粉末 | 第40页 |
| 3．2．4 采用溶剂热方法合成聚乙烯醇（PVA）/CdS纳米线有机/无机复合薄膜 | 第40-41页 |
| 3．3 测试方法 | 第41-44页 |
| 3．3．1 X射线衍射（XRD） | 第41-42页 |
| 3．3．2 透射电子显微分析（TEM）和高分辨透射电子显微分析（HRTEM） | 第42页 |
| 3．3．3 傅立叶变换红外光谱（FT-IR） | 第42页 |
| 3．3．4 紫外可见吸收光谱（UV-Vis absorption） | 第42-43页 |
| 3．3．5 光致荧光光谱（PL） | 第43页 |
| 3．3．6 高频等离子体发射光谱（ICP-AES） | 第43-44页 |
| 第四章 硫脲修饰CdS纳米粒子在PVP乙醇水溶液中的制备、结构性能表征及机理研究 | 第44-66页 |
| 4．1 引言 | 第44页 |
| 4．2 CdS纳米粒子的量子尺寸效应 | 第44-58页 |
| 4．2．1 表面修饰剂对CdS纳米粒子吸收光谱的影响 | 第45-46页 |
| 4．2．2 硫脲与Cd~（2+）离子的比例对CdS纳米粒子光谱的影响 | 第46-50页 |
| 4．2．3 pH值对CdS纳米粒子吸收光谱的影响 | 第50-53页 |
| 4．2．4 温度对CdS纳米粒子吸收光谱的影响 | 第53-54页 |
| 4．2．5 Cd~（2+）离子浓度对CdS纳米粒子吸收光谱的影响 | 第54-55页 |
| 4．2．6 S~（2-）离子浓度对CdS纳米粒子吸收光谱的影响 | 第55页 |
| 4．2．7 PVP溶液的浓度对CdS纳米粒子吸收光谱的影响 | 第55-56页 |
| 4．2．8 采用不同的稳定剂对吸收光谱的影响 | 第56-58页 |
| 4．3 CdS纳米粒子的微结构 | 第58-60页 |
| 4．3．1 CdS纳米粒子的形貌 | 第58-59页 |
| 4．3．2 CdS纳米粒子的晶型 | 第59-60页 |
| 4．4 硫脲修饰的CdS纳米粒子的形成机理 | 第60-62页 |
| 4．5 CdS纳米粒子的发光性能 | 第62-64页 |
| 4．6 结论 | 第64-66页 |
| 第五章 聚丙烯酸—丙烯酸羟丙酯/CdS纳米粒子复合体系的制备、结构性能表征及性能研究 | 第66-90页 |
| 5．1 引言 | 第66页 |
| 5．2 CdS纳米粒子的量子尺寸效应 | 第66-76页 |
| 5．2．1 不同的CdCl_2与Na_2S浓度对CdS纳米粒子量子尺寸效应的影响 | 第67-68页 |
| 5．2．2 分别改变Cd~（2+）与S~（2-）含量对CdS纳米粒子量子尺寸效应的影响 | 第68-70页 |
| 5．2．3 聚合物浓度对CdS纳米粒子量子尺寸效应的影响 | 第70-71页 |
| 5．2．4 陈化时间对CdS纳米粒子稳定性的影响 | 第71-76页 |
| 5．3 AC-HAC/CdS纳米粒子复合材料的形成机理 | 第76-78页 |
| 5．4 CdS纳米粒子的形貌 | 第78页 |
| 5．5 CdS纳米粒子的发光性能 | 第78-85页 |
| 5．5．1 不同的CdCl_2与Na_2S浓度对CdS纳米粒子发光性能的影响 | 第79-80页 |
| 5．5．2 分别改变Cd~（2+）与S~（2-）含量对CdS纳米粒子发光性能的影响 | 第80-81页 |
| 5．5．3 聚合物浓度对CdS纳米粒子发光性能的影响 | 第81-82页 |
| 5．5．4 陈化时间对CdS纳米粒子发光性能的影响 | 第82-84页 |
| 5．5．5 不同陈化时间下聚合物浓度对CdS纳米粒子发光性能的影响 | 第84-85页 |
| 5．6 薄膜样品的发光性能 | 第85-87页 |
| 5．7 AC-HAC对CdS纳米粒子发光性能影响机理 | 第87-88页 |
| 5．8 结论 | 第88-90页 |
| 第六章 溶剂热合成CdS纳米晶形貌、结构性能表征及机理研究 | 第90-109页 |
| 6．1 引言 | 第90页 |
| 6．2 单独用乙二胺作溶剂制备的CdS纳米棒的结构及性能 | 第90-98页 |
| 6．2．1 CdS纳米棒的晶体结构 | 第91-92页 |
| 6．2．2 CdS纳米棒的形貌 | 第92-93页 |
| 6．2．3 CdS纳米棒的形成机理 | 第93-96页 |
| 6．2．4 CdS纳米棒的紫外吸收光谱 | 第96-97页 |
| 6．2．5 CdS纳米棒的发光性能 | 第97-98页 |
| 6．3 同时使用乙二胺和水作溶剂制备的CdS纳米晶的结构、形貌及性能 | 第98-107页 |
| 6．3．1 不同乙二胺与水比例下CdS粉末的晶体结构 | 第99-101页 |
| 6．3．2 不同乙二胺与水比例下CdS纳米晶的形貌 | 第101-103页 |
| 6．3．3 不同乙二胺与水变化对CdS纳米晶形貌和颗粒大小的影响 | 第103页 |
| 6．3．4 不同乙二胺与水比例下CdS纳米晶的紫外吸收光谱 | 第103-104页 |
| 6．3．5 不同乙二胺与水比例下CdS纳米晶的发光性能 | 第104-107页 |
| 6．4 结论 | 第107-109页 |
| 第七章 以聚乙烯醇（PVA）为基体采用溶剂热方法合成的CdS纳米线的结构表征及机理研究 | 第109-129页 |
| 7．1 引言 | 第109页 |
| 7．2 PVA/CdS纳米线复合薄膜中的晶体形貌 | 第109-114页 |
| 7．3 PVA/CdS纳米线复合薄膜的晶体结构 | 第114-117页 |
| 7．4 聚合物本身在反应中的变化 | 第117-118页 |
| 7．5 具有较高长径比的CdS纳米线的生长机理 | 第118-121页 |
| 7．6 PVA/CdS纳米线复合薄膜的紫外吸收光谱 | 第121-124页 |
| 7．7 PVA/CdS纳米线复合薄膜的发光性能 | 第124-127页 |
| 7．8 结论 | 第127-129页 |
| 第八章 总结与展望 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-145页 |
