两步法制备取向高度一致的ZnO纳米阵列
| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·前言 | 第11-12页 |
| ·染料敏化太阳能电池的研究进展 | 第12-14页 |
| ·染料敏化太阳电池的结构 | 第12-13页 |
| ·染料敏化太阳电池的工作原理 | 第13-14页 |
| ·染料敏化太阳电池的发展现状 | 第14页 |
| ·光阳极导电薄膜的国内外研究现状 | 第14-16页 |
| ·金属系导电薄膜 | 第15页 |
| ·氧化物导电薄膜 | 第15页 |
| ·柔性衬底氧化物膜系导电薄膜 | 第15-16页 |
| ·基于 ZnO 阳极薄膜的发展现状 | 第16页 |
| ·ZnO 的结构和性质 | 第16-20页 |
| ·ZnO 的基本结构 | 第16-18页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第18-19页 |
| ·ZnO 的晶面特性 | 第19页 |
| ·ZnO 的光电性能 | 第19-20页 |
| ·ZnO 的优点 | 第20页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第20-23页 |
| ·溶胶凝胶法（Sol-gel） | 第20-21页 |
| ·化学气相沉积法（CVD） | 第21页 |
| ·激光脉冲沉积法(PLD) | 第21-22页 |
| ·溅射法（Sputtering） | 第22-23页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第23页 |
| ·喷雾热分解法 | 第23页 |
| ·ZnO 纳米阵列的生长方法 | 第23-25页 |
| ·水热法 | 第23-24页 |
| ·模板限制辅助生长法 | 第24页 |
| ·催化剂辅助化学气相沉积法 | 第24页 |
| ·溶液生长法 | 第24-25页 |
| ·选题背景意义及研究内容 | 第25-27页 |
| ·选题背景意义 | 第25-26页 |
| ·研究内容 | 第26-27页 |
| 第2章 实验过程与方法 | 第27-36页 |
| ·样品制备 | 第27-31页 |
| ·基体玻璃处理 | 第27-28页 |
| ·ZnO 晶种层的制备 | 第28-30页 |
| ·ZnO 纳米棒的制备 | 第30-31页 |
| ·ZnO 薄膜的表征 | 第31-36页 |
| ·表面形貌以及粒度测试 | 第31-32页 |
| ·相结构和成分测试 | 第32-34页 |
| ·微观形貌测试 | 第34-36页 |
| 第3章 磁控溅射法制备 ZnO 晶种层 | 第36-57页 |
| ·磁控溅射法的原理 | 第36-39页 |
| ·磁控溅射法基本原理 | 第36-37页 |
| ·溅射率及影响因素 | 第37-39页 |
| ·磁控溅射法的种类 | 第39页 |
| ·射频磁控溅射法 | 第39页 |
| ·直流磁控溅射法 | 第39页 |
| ·磁控溅射法制备 ZnO 晶种层 | 第39-40页 |
| ·磁控溅射工艺参数对 ZnO 晶种层形貌的影响 | 第40-50页 |
| ·靶材与样品之间距离的影响 | 第40-43页 |
| ·溅射功率的影响 | 第43-47页 |
| ·不同 O2/Ar 分压比对形貌的影响 | 第47-50页 |
| ·热处理温度对磁控溅射 ZnO 晶种层结构的影响 | 第50-54页 |
| ·溶胶凝胶法制备 ZnO 晶种层 | 第54-55页 |
| ·热处理温度对晶种层形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·溶胶凝胶法与磁控溅射法制备的晶种层的区别 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 ZnO 纳米棒的水浴生长 | 第57-66页 |
| ·化学水浴沉积法的原理及影响 | 第57-58页 |
| ·化学水浴沉积法的基本原理 | 第57页 |
| ·化学水浴沉积法对生长 ZnO 纳米棒的影响因素 | 第57-58页 |
| ·反应液浓度对 ZnO 纳米棒生长的影响 | 第58-63页 |
| ·磁控溅射预制晶种层不同浓度的水浴生长 | 第58-61页 |
| ·溶胶凝胶预制晶种层不同浓度的水浴生长 | 第61-63页 |
| ·两种预制晶种层所生长 ZnO 纳米棒的区别 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第5章 全文结论及展望 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| ·本课题制备 ZnO 纳米薄膜的应用前景 | 第67页 |
| ·本课题后续研究工作 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的学位论文 | 第73页 |
