| 致谢 | 第1-3页 |
| 内容提要 | 第3-5页 |
| 一， 前言 | 第5页 |
| 二， 半导体物理研究的早期工作 | 第5-7页 |
| 三， 半导体物理的发展 | 第7-30页 |
| 1， 能带理论的建立和能带的计算 | 第7-11页 |
| 2， 晶体管的发明 | 第11-13页 |
| 3， 半导体物理研究蓬勃展开 | 第13-14页 |
| 4， PN结的研究 | 第14-17页 |
| 5， 金属-半导体接触理论 | 第17-18页 |
| 6， 半导体表面研究的发展 | 第18-21页 |
| 7， 非晶态半导体物理 | 第21-24页 |
| 8， 半导体超晶格物理 | 第24-27页 |
| 9， 低维物理和量子霍尔效应 | 第27-30页 |
| 四， 中国半导体物理界的状况 | 第30-36页 |
| 五， 结束语 | 第36-39页 |
| 参考资料及一些原始文献 | 第39-43页 |