| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-28页 |
| ·纳米材料概述 | 第11-13页 |
| ·GaN的性质 | 第13-16页 |
| ·GaN晶体结构与物理特性 | 第13-15页 |
| ·GaN的化学特性 | 第15页 |
| ·GaN的电学特性 | 第15页 |
| ·GaN的光学特性 | 第15-16页 |
| ·一维GaN纳米材料制备方法及生长机制 | 第16-21页 |
| ·模板辅助制备 | 第16-18页 |
| ·碳纳米管模板法 | 第16-17页 |
| ·多孔阳极氧化铝膜(AAO)模板法 | 第17页 |
| ·SiNx模板法 | 第17-18页 |
| ·ZnO纳米线模板法 | 第18页 |
| ·催化剂辅助气相反应 | 第18-19页 |
| ·非模板、非催化剂辅助气相反应 | 第19-21页 |
| ·气相蒸发法 | 第19-20页 |
| ·氧化辅助生长GaN纳米线 | 第20页 |
| ·两步生长模式合成GaN纳米线 | 第20-21页 |
| ·GaN薄膜制备方法 | 第21-25页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法 | 第21-23页 |
| ·分子束外延(MBE)法 | 第23页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE)法 | 第23-24页 |
| ·两步生长GaN薄膜的技术 | 第24页 |
| ·热壁(HWE)、磁控溅射(MS)、溶胶—凝胶(Sol-Gel)法 | 第24-25页 |
| ·GaN 纳米材料的应用 | 第25-27页 |
| ·发光器件 | 第25-26页 |
| ·场效应晶体管 | 第26-27页 |
| ·紫外探测器 | 第27页 |
| ·本文研究目的、意义和内容 | 第27-28页 |
| 第2章 实验方法 | 第28-36页 |
| ·实验设备 | 第28-29页 |
| ·实验所用材料及试剂 | 第29-30页 |
| ·实验原料 | 第29页 |
| ·实验试剂 | 第29页 |
| ·基片 | 第29-30页 |
| ·样品制备 | 第30-33页 |
| ·硅片的清洗 | 第30页 |
| ·反应腔体清理 | 第30页 |
| ·装炉 | 第30-31页 |
| ·清洗炉管 | 第31页 |
| ·炉子升温 | 第31-32页 |
| ·制备过程中气路系统操作 | 第32页 |
| ·观测反应现象并认真记录每个细节 | 第32页 |
| ·关闭系统操作 | 第32-33页 |
| ·取样品 | 第33页 |
| ·测试表征手段 | 第33-36页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第33页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第33-35页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第35-36页 |
| 第3章 实验参数变化对实验的影响 | 第36-48页 |
| ·实验原理 | 第36-37页 |
| ·反应气体不同通入方式对实验的影响 | 第37-39页 |
| ·实验内容 | 第37-38页 |
| ·实验结果与讨论分析 | 第38-39页 |
| ·H_2通入量对实验的影响 | 第39-42页 |
| ·实验内容 | 第39页 |
| ·实验结果与讨论分析 | 第39-42页 |
| ·N_2通入量对实验影响 | 第42-44页 |
| ·实验内容 | 第42页 |
| ·实验结果与讨论分析 | 第42-44页 |
| ·Si基体放置位置对实验影响 | 第44-48页 |
| ·实验内容 | 第44页 |
| ·实验结果与讨论分析 | 第44-48页 |
| 第4章 新颖纳米结构的制备 | 第48-60页 |
| ·花束状Ga2O_3/GaN纳米结构的制备 | 第48-52页 |
| ·实验条件 | 第48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-51页 |
| ·生长机理分析 | 第51-52页 |
| ·类柳絮状SiO_x的制备 | 第52-60页 |
| ·实验条件 | 第52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-55页 |
| ·生长机理分析 | 第55-60页 |
| 第5章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66页 |