| 中文摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·自旋电子学的兴起 | 第8-10页 |
| ·隧穿磁电阻(TMR) | 第10-12页 |
| ·自旋轨道耦合相互作用(Spin-Orbit Interaction) | 第12-16页 |
| ·Rashba自旋轨道耦合 | 第12-15页 |
| ·Dresselhaus自旋轨道耦合 | 第15-16页 |
| ·量子隧穿时间 | 第16-20页 |
| ·相位时间(phase time) | 第17-19页 |
| ·居留时间 | 第19-20页 |
| ·本文的研究工作 | 第20-21页 |
| 第二章 半导体异质结中电子的自旋翻转及磁电阻效应 | 第21-29页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·模型和理论公式 | 第21-24页 |
| ·计算结果与分析 | 第24-28页 |
| ·结论 | 第28-29页 |
| 第三章 电子通过 F/S/F异质结的量子隧穿时间 | 第29-38页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·半导体中没有自旋翻转效应的情况 | 第29-33页 |
| ·模型和理论公式 | 第29-31页 |
| ·计算结果与分析 | 第31-33页 |
| ·半导体中存在自旋翻转效应的情况 | 第33-36页 |
| ·模型和理论公式 | 第33-34页 |
| ·计算结果与分析 | 第34-36页 |
| ·结论 | 第36-38页 |
| 第四章 电子通过介观 AC环的自旋极化输运及隧穿磁阻效应 | 第38-48页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·模型计算 | 第38-41页 |
| ·数值分析 | 第41-46页 |
| ·结论 | 第46-48页 |
| 第五章 总结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 研究生在读期间取得的研究成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 个人简介 | 第55-56页 |