| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 1 引言 | 第12-24页 |
| 1.1 薄膜晶体管的应用 | 第12-14页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展历史 | 第14-15页 |
| 1.3 薄膜晶体管的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 金属氧化物薄膜晶体管应用面临的挑战 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的选题依据及研究内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-24页 |
| 2 InZnO:Li TFTs的研制 | 第24-46页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 InZnO:Li TFTs的制备 | 第24-27页 |
| 2.3 InZnO:Li TFTs有源层厚度的优化 | 第27-31页 |
| 2.4 InZnO:Li TFTs退火温度的优化 | 第31-36页 |
| 2.5 InZnO:Li TFTs氧气流量的优化 | 第36-38页 |
| 2.6 InZnO:Li TFTs的稳定性 | 第38-40页 |
| 2.7 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-46页 |
| 3 Zn_(0.5)Sn_(0.5)O:Li TFTs的研制 | 第46-70页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 Zn_(0.5)Sn_(0.5)O:Li TFTs的制备 | 第46-48页 |
| 3.3 Zn_(0.5)Sn_(0.5)O:Li薄膜的结构和光学性质 | 第48-50页 |
| 3.4 Zn_(0.5)Sn_(0.5)O:Li TFTs有源层厚度的优化 | 第50-54页 |
| 3.5 Zn_(0.5)Sn_(0.5)O:Li TFTs退火温度的优化 | 第54-58页 |
| 3.6 Zn_(0.5)Sn_(0.5)O:Li TFTs氧气流量的优化 | 第58-60页 |
| 3.7 Zn_(0.5)Sn_(0.5)O:Li TFTs氩气流量的优化 | 第60-64页 |
| 3.8 本章小结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 4 Zn_(0.7)Sn_(0.3)O:Li TFTs的研制 | 第70-92页 |
| 4.1 引言 | 第70页 |
| 4.2 Zn_(0.7)Sn_(0.3)O:Li TFTs的制备 | 第70-71页 |
| 4.3 Zn_(0.7)Sn_(0.3)O:Li TFTs有源层厚度的优化 | 第71-76页 |
| 4.4 Zn_(0.7)Sn_(0.3)O:Li TFTs退火温度的优化 | 第76-79页 |
| 4.5 Zn_(0.7)Sn_(0.3)O:Li TFTs氧气流量的优化 | 第79-82页 |
| 4.6 Zn_(0.7)Sn_(0.3)O:Li TFTs真空退火对其性能的影响 | 第82-84页 |
| 4.7 Zn_(0.7)Sn_(0.3)O:Li TFTs整体退火对其性能的影响 | 第84-87页 |
| 4.8 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 5 Zn_(0.9)Sn_(0.1)O:Li TFTs的研制 | 第92-108页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 Zn_(0.9)Sn_(0.1)O:Li TFTs的制备 | 第92-93页 |
| 5.3 Zn_(0.9)Sn_(0.1)O:Li TFTs有源层厚度的优化 | 第93-97页 |
| 5.4 Zn_(0.9)Sn_(0.1)O:Li TFTs氧气流量的优化 | 第97-98页 |
| 5.5 Zn_(0.9)Sn_(0.1)O:Li TFTs退火温度的优化 | 第98-100页 |
| 5.6 Zn_(0.9)Sn_(0.1)O:Li TFTs在空气中的稳定性 | 第100-102页 |
| 5.7 ZnSnO:Li TFTs的不同Zn、Sn比例对其性能的影响 | 第102-104页 |
| 5.8 本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 6 结论 | 第108-110页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第110-114页 |
| 学位论文数据集 | 第114页 |
