半导体桥火工品电磁兼容技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| ·SCB火工品发展 | 第10页 |
| ·电磁环境简介 | 第10-12页 |
| ·射频效应 | 第11-12页 |
| ·静电效应 | 第12页 |
| ·国内外电磁兼容防护方法 | 第12-17页 |
| ·国外研究现状 | 第12-16页 |
| ·国内研究现状 | 第16-17页 |
| ·本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 半导体桥电磁防护分析 | 第18-21页 |
| ·半导体桥射频加固分析 | 第18-19页 |
| ·射频对半导体桥作用机理 | 第18-19页 |
| ·加固方法探索 | 第19页 |
| ·半导体桥抗静电分析 | 第19-21页 |
| 3 贴片电容用于SCB火工品电磁防护研究 | 第21-39页 |
| ·电容器参数分析 | 第21-23页 |
| ·并联电容电路模型及防护原理 | 第23页 |
| ·并联电容对SCB电爆性能影响 | 第23-28页 |
| ·电容用于SCB射频防护研究 | 第28-37页 |
| ·电容选取及参数测试 | 第28-29页 |
| ·并联电容SCB射频注入实验 | 第29-31页 |
| ·并联电容SCB电磁干扰实验 | 第31-35页 |
| ·射频对SCB火工品电爆性能的影响 | 第35-37页 |
| ·并联电容对SCB抗静电性能影响 | 第37-38页 |
| ·实验原理 | 第37-38页 |
| ·实验结果 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 TVS芯片用于SCB火工品电磁防护研究 | 第39-65页 |
| ·TVS简介及结构特点 | 第39-41页 |
| ·TVS参数分析及测试 | 第41-46页 |
| ·结电容及寄生电阻测试 | 第44-45页 |
| ·能量及温度对TVS芯片性能影响 | 第45-46页 |
| ·并联TVS对SCB电爆性能影响 | 第46-50页 |
| ·TVS对SCB射频防护研究 | 第50-59页 |
| ·防护原理 | 第51页 |
| ·实验结果及分析 | 第51-55页 |
| ·射频对SCB电爆性能的影响 | 第55-57页 |
| ·封装形式对SCB射频防护影响 | 第57-59页 |
| ·TVS用于SCB静电防护研究 | 第59-64页 |
| ·防护原理 | 第59页 |
| ·实验结果及分析 | 第59-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 5 集成SCB芯片方案初探 | 第65-68页 |
| ·MOS-SCB芯片 | 第65-66页 |
| ·PN结-SCB芯片 | 第66-68页 |
| 全文结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 附表 | 第74-80页 |
