摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第8-23页 |
·研究背景 | 第8-9页 |
·金属薄膜电阻率的尺度效应 | 第9-12页 |
·Cu互连中的电迁移 | 第12-14页 |
·金属薄膜材料的制备 | 第14-16页 |
·真空蒸镀法 | 第15页 |
·溅射沉积法 | 第15页 |
·化学气相沉积法 | 第15-16页 |
·离子镀膜法 | 第16页 |
·本论文研究内容 | 第16-18页 |
参考文献 | 第18-23页 |
第二章 实验方法 | 第23-31页 |
·金属薄膜的制备 | 第23-25页 |
·金属薄膜常用微结构表征方法 | 第25-27页 |
·X射线衍射 | 第25页 |
·扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
·原子力显微镜 | 第26页 |
·透射电子显微镜 | 第26-27页 |
·金属薄膜电学性能测试方法 | 第27-30页 |
·四探针法测量薄膜电阻率 | 第27-29页 |
·常温等间距四探针测试系统 | 第29页 |
·物理性能测试系统 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-31页 |
第三章 金属Cu薄膜电阻率的尺度与温度效应 | 第31-43页 |
·引言 | 第31-32页 |
·实验方法 | 第32页 |
·Cu薄膜的微结构表征 | 第32-36页 |
·表面和晶界对Cu薄膜电阻率的影响 | 第36-38页 |
·不同尺寸Cu薄膜电阻率的温度效应 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-41页 |
参考文献 | 第41-43页 |
第四章 金属Cu-Ta薄膜电学性能的尺度与温度效应 | 第43-52页 |
·引言 | 第43页 |
·实验方法 | 第43-44页 |
·非晶Ta薄膜的微结构表征 | 第44-46页 |
·Cu-Ta薄膜的电阻率 | 第46-48页 |
·Ta-Cu界面的电迁移 | 第48-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-52页 |
第五章 结论和展望 | 第52-54页 |
·结论 | 第52页 |
·工作展望 | 第52-54页 |
作者在攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第54-55页 |
致谢 | 第55-56页 |