| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 序 | 第10-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-36页 |
| ·有机薄膜晶体管(OTFTs)的历史与进展 | 第15-16页 |
| ·薄膜晶体管(TFTs)的应用领域 | 第16-19页 |
| ·薄膜晶体管器件的工作机理 | 第19-22页 |
| ·场效应晶体管的工作机理 | 第19-20页 |
| ·OTFT器件的工作机理 | 第20-22页 |
| ·OTFT器件材料的选取 | 第22-25页 |
| ·OTFT器件的有机半导体材料 | 第23-24页 |
| ·OTFT器件的绝缘层材料 | 第24-25页 |
| ·OTFT器件的电极材料 | 第25页 |
| ·有机薄膜晶体管的器件结构和制备方法 | 第25-28页 |
| ·OTFT器件的结构 | 第25-27页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备方法 | 第27-28页 |
| ·有机薄膜晶体管器件的性能表征 | 第28-31页 |
| ·场效应迁移率 | 第29-30页 |
| ·阈值电压 | 第30页 |
| ·亚阈值摆幅 | 第30页 |
| ·开关电流比 | 第30-31页 |
| ·影响OTFT器件性能的几种陷阱缺陷 | 第31-33页 |
| ·OTFT器件中陷阱态的种类 | 第31页 |
| ·电荷陷阱态对载流子输运的影响 | 第31-32页 |
| ·电荷陷阱态与OTFT器件阈值电压之间的关系 | 第32-33页 |
| ·目前OTFT器件中主要存在的问题 | 第33-34页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第34-36页 |
| 第二章 有机半导体pentacene薄膜的生长机制及其OTFT器件中电场诱导电荷的注入和耗尽的研究 | 第36-50页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·有机半导体薄膜的生长机制 | 第36-46页 |
| ·实验及其测试 | 第38-39页 |
| ·硅基衬底上pentacene薄膜生长过程 | 第39-46页 |
| ·pentacene薄膜的生长机制的研究 | 第39-42页 |
| ·pentacene薄膜结晶情况及其相态变化的研究 | 第42-46页 |
| ·OTFT器件中电场诱导电荷的累积层厚度的研究 | 第46-49页 |
| ·器件的制备及测试 | 第46-47页 |
| ·pentacene薄膜中电荷载流子累积层的厚度定量的分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 界面修饰层对OTFT器件性能的影响的研究 | 第50-74页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·修饰层诱导下的pentacene多晶薄膜的微观结构的转变及其对OTFTs性能的影响 | 第51-60页 |
| ·器件的制备及测试 | 第51-52页 |
| ·结果与分析 | 第52-60页 |
| ·表面形貌及表面能对OTFT器件性能的影响 | 第52-57页 |
| ·多晶的pentacene薄膜微观结构的变化对OTFT器件性能的影响 | 第57-60页 |
| ·带有phenyltrimethoxysilane界面修饰层的OTFTs性能的优化 | 第60-66页 |
| ·器件的制备及测试 | 第60-61页 |
| ·结果与分析 | 第61-66页 |
| ·低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究 | 第66-72页 |
| ·器件的制备及测试 | 第66-67页 |
| ·结果与分析 | 第67-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第四章 无机、有机及有机/无机复合绝缘层的有机薄膜晶体管特性的研究 | 第74-106页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·以电子束制备的SiO_2绝缘层的pentacene基OTFT器件的性能优化 | 第75-81页 |
| ·器件的制备及测试 | 第75-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-81页 |
| ·以磁控溅射制备的栅极绝缘层的OTFT器件 | 第81-91页 |
| ·栅极绝缘层SiNx的成分对OTFT器件性能的影响 | 第81-86页 |
| ·器件的制备及测试 | 第81-82页 |
| ·结果与分析 | 第82-86页 |
| ·复合SiNx/SiO_2栅极绝缘层的OTFT器件的研究 | 第86-91页 |
| ·器件的制备及测试 | 第86-87页 |
| ·结果与分析 | 第87-91页 |
| ·有机PVP栅极绝缘层的OTFT器件性能的研究 | 第91-95页 |
| ·器件的制备及测试 | 第91-92页 |
| ·结果与分析 | 第92-95页 |
| ·有机无机复合栅极绝缘层的OTFT器件性能的研究 | 第95-103页 |
| ·器件的制备及测试 | 第95-96页 |
| ·结果与分析 | 第96-103页 |
| ·复合绝缘层的OTFT器件 | 第96-97页 |
| ·界面修饰下的复合绝缘层OTFT器件 | 第97-103页 |
| ·本章小结 | 第103-106页 |
| 第五章 全有机柔性的和双极型的薄膜晶体管特性的研究 | 第106-122页 |
| ·引言 | 第106-107页 |
| ·PVP栅极绝缘层的柔性OTFT器件特性的研究 | 第107-109页 |
| ·器件的制备及测试 | 第107-108页 |
| ·结果与分析 | 第108-109页 |
| ·弯曲应变效应对柔性OTFT器件性能的影响 | 第109-114页 |
| ·器件的制备及测试 | 第109-110页 |
| ·结果与分析 | 第110-114页 |
| ·Pentacene/C_(60)基双极型OTFT器件性能的研究 | 第114-118页 |
| ·器件的制备及测试 | 第114-115页 |
| ·结果与分析 | 第115-118页 |
| ·NPB电子阻挡层对C_(60)/pentacene基双极型OTFT器件性能的影响 | 第118-120页 |
| ·器件的制备及测试 | 第118页 |
| ·结果与分析 | 第118-120页 |
| ·本章小结 | 第120-122页 |
| 第六章 结论 | 第122-126页 |
| 参考文献 | 第126-144页 |
| 作者简历 | 第144-154页 |
| 学位论文数据集 | 第154页 |
