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La2MO4+δ(M=Cu,Ni)掺杂体系低频内耗研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 K_2NiF4 结构和额外氧的状态研究概述第11-19页
   ·引言第11页
   ·K_2NiF4 晶体结构第11-15页
   ·本论文的研究目的及内容第15-16页
 参考文献第16-19页
第二章 内耗的原理和实验方法第19-32页
   ·引言第19页
   ·材料的应力应变行为与内耗第19-22页
   ·内耗的测量原理第22-24页
     ·自由衰减法第22-23页
     ·强迫振动法第23页
     ·超声衰减法第23-24页
   ·内耗的唯象理论第24-26页
     ·标准滞弹性固体第24-25页
     ·峰温关系第25-26页
   ·内耗微观理论第26-27页
     ·点缺陷弛豫理论第26页
     ·相变的内耗理论第26-27页
   ·实验原理第27-28页
     ·额外氧含量的调节第27页
     ·碘滴定第27-28页
   ·内耗的测量装置第28-31页
     ·多功能内耗仪第29-30页
     ·实验参数第30-31页
 参考文献第31-32页
第三章 La_2Cu_(1-x)M_xO_(4+δ)(M=Zn, Ni, Li)内耗研究第32-51页
   ·引言第32-34页
     ·La_2CuO_(4+δ)体系的内耗现象第32-34页
     ·La_2NiO_(4+δ)体系的内耗现象第34页
   ·La_2Cu_(1-x)Zn_xO_(4+δ)低频内耗研究第34-40页
     ·样品制备、表征及实验方法第35页
     ·实验结果与讨论第35-40页
       ·晶体结构分析第35-36页
       ·La_2Cu_(1-x)Zn)xO_(4+δ)低频弛豫内耗峰第36-39页
       ·模量揭示的正交-四方相转变第39-40页
   ·La_2Cu_(1-x)Ni_xO_(4+δ)低频内耗研究第40-44页
     ·样品制备、表征及实验方法第41页
     ·实验结果与讨论第41-44页
       ·晶体结构第41-42页
       ·La_2Cu_(0.995)M_(0.005)O_(4+δ)(M=Zn, Ni)弛豫双峰研究第42页
       ·La_2Cu_(1-x)Ni_xO_(4+δ)弛豫内耗峰P1 研究第42-44页
   ·La_2Cu_(1-x)Li_xO_(4+δ)低频内耗研究第44-48页
     ·样品制备及实验方法第44页
     ·实验结果与讨论第44-48页
       ·La_2Cu_(1-x)LixO_(4+δ)(0≤x≤0.15)弛豫内耗峰第44-47页
       ·La_2Cu_(1-x)M_xO_(4+δ)(M=Ni, Li)正交-四方相转变第47-48页
   ·结论第48-49页
 参考文献第49-51页
第四章 La_(2-x)M_xNiO_(4+δ)(M=Pr, Sr, Nd)内耗研究第51-68页
   ·引言第51页
   ·La_(2-x)Pr_xNiO_(4+δ)低频内耗研究第51-59页
     ·样品制备第52页
     ·样品表征及实验方法第52页
     ·实验结果及讨论第52-59页
       ·晶体结构第52-54页
       ·La_(2-x)Pr_xNiO_(4+δ)低频内耗第54-58页
       ·La_(2-x)Pr_xNiO_(4+δ)玻璃化冻结效应第58-59页
   ·La_(2-x)Sr_xNiO_(4+δ)(0≤x≤0.33)低频内耗第59-61页
     ·样品制备第59-60页
     ·样品表征及实验方法第60页
     ·实验结果及讨论第60-61页
   ·La_(2-x)Nd_xNiO_(4+δ)低频内耗第61-65页
     ·样品制备第62页
     ·样品表征及实验方法第62页
     ·实验结果及讨论第62-65页
   ·结论第65-66页
 参考文献第66-68页
第五章 La_(2-x)M_xCuO_(4+δ)(M= Nd, Sr, Pr)内耗研究第68-75页
   ·引言第68-69页
   ·样品制备第69页
   ·样品表征及实验方法第69页
   ·实验结果及讨论第69-73页
     ·La_(2-x)Nd_xCuO_(4+δ)低频内耗第69-71页
     ·La_(2-x)Sr_xCuO_(4+δ)低频内耗第71-72页
     ·Pr_2CuO_(4+δ)低频内耗第72-73页
   ·结论第73页
 参考文献第73-75页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第75-76页
致谢第76页

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