工艺因素对SiO2-C-Na3AlF6系合成碳化硅晶须的影响
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 文献综述 | 第8-22页 |
| ·一维材料晶须及在复合材料中的应用 | 第8-15页 |
| ·晶须的性能指标 | 第8-9页 |
| ·晶须生长机理 | 第9-11页 |
| ·陶瓷基复合材料的晶须增韧增强 | 第11-14页 |
| ·晶须物理化学性能对增韧的影响 | 第14-15页 |
| ·SiC 晶须的国内外研究及工业化生产现状 | 第15-21页 |
| ·SiC 晶须的研究背景 | 第15-16页 |
| ·SiC 晶须的工业化生产现状 | 第16-21页 |
| ·本研究的目的及意义 | 第21-22页 |
| 2 SiC 晶须的合成实验研究方法 | 第22-28页 |
| ·实验所用原料 | 第22-24页 |
| ·硅源 | 第22-23页 |
| ·碳源 | 第23-24页 |
| ·Na_3AlF_6 | 第24页 |
| ·氩气 | 第24页 |
| ·实验方案 | 第24-27页 |
| ·实验工艺总路线 | 第24页 |
| ·实验方案 | 第24-26页 |
| ·实验过程 | 第26-27页 |
| ·检测设备 | 第27-28页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第27页 |
| ·扫描电子显微分析仪 | 第27-28页 |
| 3 工艺因素对 SiC 晶须合成的影响 | 第28-42页 |
| ·不同原料对合成晶须特征的影响 | 第28-33页 |
| ·不同硅源对产物特征的影响 | 第28-30页 |
| ·不同碳源对合成晶须特征的影响 | 第30-31页 |
| ·不同石墨粒度对合成晶须特征的影响 | 第31-33页 |
| ·合成温度及保温时间对合成晶须特征的影响 | 第33-39页 |
| ·温度对合成晶须物相组成和形貌的影响 | 第33-37页 |
| ·保温时间对合成晶须特征的影响 | 第37-39页 |
| ·不同 Si/Al 比对合成晶须的影响 | 第39-41页 |
| ·本章结论 | 第41-42页 |
| 4 SiC 晶须的生长机理及热力学分析 | 第42-56页 |
| ·晶须生长的理论基础 | 第42-46页 |
| ·晶体的层生长理论 | 第42-43页 |
| ·晶体的阶梯状生长 | 第43页 |
| ·晶体的螺旋状生长 | 第43-44页 |
| ·晶面的发育 | 第44-45页 |
| ·影响晶体生长的外部因素 | 第45-46页 |
| ·SiC 晶须生长的热力学分析 | 第46-51页 |
| ·SiO 和 CO 分压的影响 | 第46-48页 |
| ·SiC 晶须合成过程中气相过饱和度的影响 | 第48-51页 |
| ·SiC 晶须生长机理分析 | 第51-53页 |
| ·合成 SiC 的反应机理 | 第53-54页 |
| ·本章结论 | 第54-56页 |
| 5 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 硕士研究生期间发表论文 | 第61页 |
