| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-24页 |
| ·课题研究背景 | 第13-14页 |
| ·半导体纳米材料 | 第14-17页 |
| ·纳米材料的基本性质 | 第14-15页 |
| ·纳米半导体材料的特性 | 第15-17页 |
| ·纳米半导体光催化材料 | 第17-22页 |
| ·纳米半导体材料的光催化机理 | 第17-18页 |
| ·影响半导体光催化活性的主要因素 | 第18-19页 |
| ·提高半导体光催化活性的主要途径 | 第19-22页 |
| ·论文选题及主要内容 | 第22-24页 |
| 第2章 纳米硫化亚铜的制备与光催化性能研究 | 第24-32页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验部分 | 第24-26页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第24-25页 |
| ·样品的制备 | 第25-26页 |
| ·样品的光催化性能检测 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-31页 |
| ·不同Cu/S摩尔比的影响 | 第26-27页 |
| ·反应温度的影响 | 第27-29页 |
| ·多元醇法制备纳米Cu_2S的形成机理研究 | 第29页 |
| ·纳米Cu_2S的光催化性能测试 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第3章 MWCNTs负载纳米Cu_2S的制备、表征与光催化性能研究 | 第32-43页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·实验部分 | 第33-34页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第33页 |
| ·MWCNTs的纯化处理 | 第33页 |
| ·Cu_2S/MWCNTs纳米复合材料的制备 | 第33-34页 |
| ·样品的光催化性能检测 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-41页 |
| ·铜源含量的影响 | 第34-38页 |
| ·PVP含量的影响 | 第38-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第4章 Cu_2S/T-ZnOw纳米复合材料的制备、表征与光催化性能研究 | 第43-67页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验部分 | 第44-45页 |
| ·实验原料及仪器 | 第44-45页 |
| ·Cu_2S/T-ZnOw纳米复合材料的制备 | 第45页 |
| ·样品光催化性能检测 | 第45页 |
| ·羟基自由基的检测 | 第45-47页 |
| ·实验原理 | 第46页 |
| ·实验试剂 | 第46页 |
| ·测试方法 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-65页 |
| ·不同Cu/Zn摩尔比的影响 | 第47-55页 |
| ·不同PVP含量的影响 | 第55-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78页 |